有機電激發光元件的畫素結構制造技術

本發明專利技術提供一種有機電激發光元件的畫素結構，包括在基板上的一掃描線、一數據線、一偏壓線以及一讀出線，以及一第一開關元件、一電容器、一驅動元件、一有機發光元件、一第二開關元件以及一光感測元件。第一開關元件電性連接于掃描線以及數據線。電容器電性連接于第一開關元件以及偏壓線。驅動元件電性連接于第一開關元件、電容器以及偏壓線。有機發光元件電性連接于驅動元件。第二開關元件電性連接于掃描線與讀出線。光感測元件電性連接于第二開關元件以及偏壓線。

【技術實現步驟摘要】
有機電激發光元件的畫素結構
本專利技術是有關于一種畫素結構，且特別是有關于一種有機電激發光元件的畫素結構。
技術介紹
作為一種發光元件，有機電激發光元件具有許多優點如無視角限制、低制造成本、高響應速度(較液晶的響應速度快約一百倍以上)、節省能源、適于在可攜式裝置中直接以電流驅動、使用溫度范圍廣泛、重量輕，且提供小型與薄型的設計。因此，有機電激發光元件具有高發展潛力且被預期是下一世代的平板顯示器。此外，電子產品，例如手機、手提式個人電腦、個人數字助理與智能手機流行于我們的日常生活中。為了符合現今的需求如便于攜帶、小型、對使用者友善的信息科技產品，觸控感測屏幕被用于輸入裝置而取代傳統的鍵盤與鼠標。在眾多觸控感測屏幕中，一種兼具觸控與顯示功能的觸控感測面板是現今最流行的產品。因此，需要發展具有觸控感測功能的有機電激發光元件。
技術實現思路
本專利技術提供一種有機電激發光元件的畫素結構，其具有觸控感測的功能。本專利技術提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括在基板上的一掃描線、一數據線、一偏壓線以及一讀出線，以及一第一開關元件、一電容器、一驅動元件、一有機發光元件、一第二開關元件以及一光感測元件。第一開關元件電性連接于掃描線以及數據線。電容器電性連接于第一開關元件以及偏壓線。驅動元件電性連接于第一開關元件、電容器以及偏壓線。有機發光元件電性連接于驅動元件。第二開關元件電性連接于掃描線與讀出線。光感測元件電性連接于第二開關元件以及偏壓線。本專利技術提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一第三導體層、一第三絕緣層、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置在第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極。第一柵極、第一通道層、第一源極以及第一漏極形成一第一開關元件。第二柵極、第二通道層、第二源極以及第二漏極形成一驅動元件。第三柵極、第三通道層、第三源極以及第三漏極形成一第二開關元件。第一電極與及第二電極形成一電容器。第二絕緣層覆蓋第二導體層。第三導體層配置在第二絕緣層上且包括一第四柵極以及一下部電極。第四柵極、第四通道層、第四源極以及第四極漏極形成一光感測元件。下部電極電性連接于第二漏極。第三絕緣層配置在第三導體層上且暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。本專利技術提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一下部電極、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極、一第四柵極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置于第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極。第一柵極、第一通道層、第一源極以及第一漏極形成一第一開關元件。第二柵極、第二通道層、第二源極、第二漏極形成一驅動元件。第三柵極、第三通道層、第三源極以及第三漏極形成一第二開關元件。第四柵極、第四通道層、第四源極以及第四漏極形成一光感測元件。第一電極以及第二電極形成一電容器。第二絕緣層覆蓋第二導體層。下部電極配置在第二絕緣層上且電性連接于驅動元件的該第二漏極。第三絕緣層配置在第二絕緣層上暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。基于上述，由于畫素結構中具有有機發光元件與光感測元件，因此有機電激發光元件具有觸控感測功能。為讓本專利技術的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所示附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1為本專利技術一實施例的畫素結構的等效電路圖；圖2為本專利技術一實施例的畫素結構的剖面圖；圖3為本專利技術一實施例的畫素結構的仰視圖；圖4與圖5為本專利技術其他的實施例的畫素結構的等效電路圖；圖6為本專利技術另一實施例的畫素結構的仰視圖；圖7為本專利技術另一實施例的畫素結構的剖面圖；圖8至圖11為本專利技術的數個實施例的畫素結構的剖面圖；圖12至圖13為本專利技術的數個實施例的畫素結構的仰視圖。附圖標記說明：100：基板；102：第一絕緣層；104：第二絕緣層；106：第三絕緣層；120：下部電極；122：連接圖案；130：有機發光層；140：上部電極；SL：掃描線；DL：數據線；BL1：第一偏壓線；BL2：第二偏壓線；RL：讀出線；C：電容器；O：有機發光元件；M1：第一導體層；M2：第二導體層；M3：第三導體層；G1：第一柵極；G2：第二柵極；G3：第三柵極；G4：第四柵極；CH：半導體層；CH1：第一通道層；CH2：第二通道層；CH3：第三通道層；CH4：第四通道層；S1：第一源極；S2：第二源極；S3：第三源極；S4：第四源極；D1：第一漏極；D2：第二漏極；D3：第三漏極；D4：第四漏極；E1：第一電極；E2：第二電極；T1：第一開關元件；T2：驅動元件；T3：第二開關元件；T4：光感測元件；V1、V2、V3：接觸窗；SH、B：遮光圖案。具體實施方式圖1為本專利技術一實施例的畫素結構的等效電路圖。請參照圖1，畫素結構包括一掃描線SL、一數據線DL、一第一偏壓線BL1、一第二偏壓線BL2、一讀出線RL、一第一開關元件T1、一電容器C、一驅動元件T2、一有機發光元件O、一第二開關元件T3以及一光感測元件T4。第一開關元件T1電性連接于掃描線SL與數據線DL。電容器C電性連接于第一開關元件T1與第一偏壓線BL1。驅動元件T2電性連接于第一開關元件T1、電容器C與第一偏壓線BL1。有機發光元件O電性連接于驅動元件T2。第二開關元件T3電性連接于掃描線SL與讀出線RL。光感測元件T4電性連接于第二開關元件T3與第二偏壓線BL2。第一開關元件T1、驅動元件T2、第二開關元件T3與光感測元件T4可分別為一頂柵極式薄膜晶體管或一底柵極式薄膜晶體管。第一開關元件T1、驅動元件T2、第二開關元件T3與光感測元件T4可分別為一非晶硅薄膜晶體管或一低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管。有機發光元件O可以是一向下發光式有機發光元件、一向上發光式有機發光元件或是一雙重發光式有機發光元件。為了清楚地示出本專利技術的畫素結構，本實施例中描述一個具有有機發光元件O(向下發光式)、第一開關元件T1(底柵極式薄膜晶體管)、驅動元件T2(底柵極式薄膜晶體管)，第二開關元件T3(底柵極式薄膜晶體管)與光感測元件T4(頂柵極式薄膜晶體管)，但并非用于限定本專利技術。圖2為本專利技術一實施例的畫素結構的剖面圖。圖3為本專利技術一實施例的畫素結構的仰視圖，但并未示出畫素結構的有機發光層與上部電極層。請參照圖1、圖2與圖3，畫素結構包括一基板100、一第一導體層M1、一第一絕緣層1本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括：一掃描線，一數據線，一偏壓線以及一讀出線，配置在一基板上；一第一開關元件，電性連接于該掃描線與該數據線；一電容器，電性連接于該第一開關元件與該偏壓線；一驅動元件，電性連接于該第一開關元件、該電容器與該偏壓線；一有機發光元件，電性連接于該驅動元件；一第二開關元件，電性連接于該掃描線與該讀出線；以及一光感測元件，電性連接于該第二開關元件與該偏壓線。

【技術特征摘要】
2012.02.04 US 13/366,2701.一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括：一掃描線，一數據線，一偏壓線以及一讀出線，配置在一基板上；一第一開關元件，電性連接于該掃描線與該數據線；一電容器，電性連接于該第一開關元件與該偏壓線；一驅動元件，電性連接于該第一開關元件、該電容器與該偏壓線；一有機發光元件，電性連接于該驅動元件；一第二開關元件，電性連接于該掃描線與該讀出線；以及一光感測元件，電性連接于該第二開關元件與該偏壓線，其中該光感測元件僅由一個薄膜晶體管構成，且該薄膜晶體管為一頂閘極式薄膜晶體管或一底閘極式薄膜晶體管。2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線包括：一第一偏壓線，平行地配置于該數據線且電性連接于該電容器與該驅動元件；以及一第二偏壓線，平行地配置于該掃描線且電性連接于該光感測元件。3.根據權利要求2所述的畫素結構，其特征在于，該光感測元件配置在該第一偏壓線與該讀出線之間。4.根據權利要求2所述的畫素結構，其特征在于，該讀出線配置在該第一偏壓線與該光感測元件之間。5.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線平行地配置于該數據線且電性連接于該電容器、該驅動元件與該光感測元件。6.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線平行地配置于該掃描線且電性連接于該電容器、該驅動元件與該光感測元件。7.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一頂柵極式薄膜晶體管。8.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于，還包括一遮光圖案，覆蓋該光感測元件。9.根據權利要求8所述的畫素結構，其特征在于，該遮光圖案配置在該基板的一外表面，該遮光圖案介于該基板與該光感測元件之間，或該遮光圖案在該光感測元件上。10.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光元件為一向上發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底柵極式薄膜晶體管。11.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一開關元件、該驅動元件與該第二開關元件分別為一底柵極式薄膜晶體管。12.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底柵極式薄膜晶體管。13.一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括：一基板；一第一導體層，配置在該基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極以及一第一電極；一第一絕緣層，覆蓋該第一導體層；一半導體層，配置在該第一絕緣層上且包括一第一通道層、第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層；一第二導體層，配置在該半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極，其中該第一柵極、該第一通道層、該第一源極以及該第一漏極形成一第一開關元件，該第二柵極、該第二通道層、第二源極以及該第二漏極形成一驅動元件，該第三柵極、第三通道層、第三源極以及該第三漏極形成一第二開關元件，且該第一電極以及該第二電極形成一電容器；一第二絕緣層，覆蓋該第二導體層；一第三導體層，配...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張營輝，黃乃杰，廖勝泰，
申請(專利權)人：劍揚股份有限公司，
類型：發明
國別省市：