【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置，具體涉及鍍膜沉積機制。
技術介紹
現有PECVD等離子體增強化學氣象沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，而薄膜沉積的有效面積及其內的沉積均勻度與等離子體面積有相當大的關系，一般為求基片面積大小內的薄膜沉積的均勻度能達到一定的效果，會制作相對于基片Γ2倍大的電極板，以產生相當大且有效的等離子體范圍用以沉積薄膜，此舉不僅增加零件制作周期同時也增加制作上的成本。
技術實現思路
綜上所述，為了克服現有技術不足，本專利技術的主要目的在于提供一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置。為了達到上述目的，本專利技術所采用的技術方案是: 一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置，通過放置在離子源兩側的擴散板裝置將離子化的氣體向兩側擴散，致使在兩極中的等離子體可均勻地向兩側擴散，增加薄膜沉積的面積，勿需將極板擴大的情況下，有效地增大等離子體沉積面積，對于設備制造成本及節約能源有相當的效果。綜上所述本專利技術結構簡單、制作方便。附圖說明 圖1系為本專利技術結構示意圖。主要組件符號說明 11...沈積設備腔體 12...上電極板 13...下電極板 14...擴散板 15...抽氣口 16...等離子體具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術做進一步說明。請參閱圖1所示，一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置，其包括沉積設備腔體11、上電極板12、下電極板1...
【技術保護點】
一種PECVD制程腔離子源擴散板裝置，其特征在于材質為不銹鋼板，厚度2mm、高度250mm。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：周文彬，劉幼海，劉吉人，
申請(專利權)人：吉富新能源科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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