磁記錄膜用濺射靶及其制造方法技術

一種磁記錄膜用濺射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射線衍射中石英的（011）面相對于背景強度的峰強度比（石英峰強度/背景強度）為1.40以上。本發明專利技術的課題在于得到如下的磁記錄膜用濺射靶：可以抑制在靶中造成濺射時產生粉粒的方英石的形成，并且可以縮短預燒時間，可以將成膜后的單磁疇粒子微細地磁隔離，并且可以提高記錄密度。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：荻野真一，奈良淳史，高見英生，
申請(專利權)人：吉坤日礦日石金屬株式會社，
類型：
國別省市：