超薄高密度多層線路芯片正裝封裝結構及制作方法技術

本發明專利技術涉及一種超薄高密度多層線路芯片正裝封裝結構及其制造方法，所述結構包括一層線路層（9）、芯片（2）和二層線路層（1），所述二層線路層（1）正面設置有內引腳（8），所述芯片（2）正裝于二層線路層（1）正面，所述芯片（2）、二層線路層（1）和金屬線（10）外圍包封有塑封料（3），所述二層線路層（1）和一層線路層（9）之間通過銅柱層（4）相連接，所述一層線路層（9）背面設置有外引腳（6），所述外引腳（6）背面設置有金屬球（7）。本發明專利技術的有益效果是：降低了芯片封裝載板的厚度，實現超薄高密度封裝；可靠性的等級提高；真正地做到高密度線路的技術能力；可徹底解決傳統基板在封裝工藝中的翹曲問題。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種超薄高密度多層線路芯片正裝封裝結構，其特征在于：它包括一層線路層（9）、芯片（2）和二層線路層（1），所述二層線路層（1）正面設置有內引腳（8），所述芯片（2）通過導電物質或不導電物質正裝于二層線路層（1）正面芯片貼裝區，所述芯片（2）正面與內引腳（8）正面之間通過金屬線（10）相連接，所述芯片（2）、二層線路層（1）和金屬線（10）外圍包封有塑封料（3），所述二層線路層（1）和一層線路層（9）之間通過銅柱層（4）相連接，所述一層線路層（9）背面設置有外引腳（6），所述外引腳（6）與外引腳（6）之間、一層線路層（9）與一層線路層（9）之間以及銅柱層（4）與銅柱層（4）之間均填充有絕緣材料（5），所述外引腳（6）背面設置有金屬球（7）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳靈芝，夏文斌，廖小景，鄒建安，仰洪波，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：