【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，包括如下步驟：（1）在高阻硅襯底上，通過磁控濺射六氮五鈮薄膜作為緩沖層；（2）在真空室中原位磁控濺射氮化鈮薄膜。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：賈小氫，康琳，涂學湊，顧敏，楊小忠，吳培亨，
申請(專利權)人：南京大學，
類型：發明
國別省市：
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