一種透明阻變存儲器及其制備方法技術

本發明專利技術公開了一種透明阻變存儲器，是在透明襯底上依次集成有下電極層、阻變層和上電極層，所述下電極層和上電極層為非晶的銦鎵鋅氧化物薄膜，所述阻變層為非晶的氧化鎵薄膜。本發明專利技術同時提供了所述透明阻變存儲器的制備方法，采用射頻磁控濺射的方法依次在透明襯底上沉積下電極層—阻變層—上電極層。本發明專利技術所提供的透明阻變存儲器，具有良好的透光性，其在可見光波段范圍內的透光率均在76%以上，最高可達92%左右。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種透明阻變存儲器，是在透明襯底上依次集成有下電極層、阻變層和上電極層，其特征是，所述下電極層和上電極層為非晶的銦鎵鋅氧化物薄膜，所述阻變層為非晶的氧化鎵薄膜。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：閆小兵，郝華，婁建忠，劉保亭，
申請(專利權)人：河北大學，
類型：發明
國別省市：