配線電路基板及其制造方法技術

本發明專利技術提供一種配線電路基板及其制造方法。通過使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模向絕緣層照射曝光用光，從而對絕緣層進行灰度曝光。在灰度曝光之后，以在絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部的方式對絕緣層實施顯影處理。光掩模的部分透光區域包括：多個第1孔部，其可供曝光用光透過；以及多個第2孔部，其以包圍多個第1孔部的方式進行配置，可供曝光用光透過，各第2孔部的面積大于各第1孔部的面積。

【技術實現步驟摘要】
配線電路基板及其制造方法
本專利技術涉及一種配線電路基板及其制造方法。
技術介紹
在硬盤驅動裝置等驅動裝置中使用驅動器。這種驅動器包括以能夠旋轉的方式設置在轉動軸上的臂和安裝在臂上的帶電路的懸掛基板。帶電路的懸掛基板是用于將磁頭定位于磁盤的所希望的磁道的配線電路基板。日本特開2001－352137號公報所述的帶電路的懸掛基板具有磁頭側連接端子和外部側連接端子。磁頭側連接端子和外部側連接端子形成為兩面暴露的飛線(日文：フライングリード)。在制造該帶電路的懸掛基板時，通過在支承基板上形成由感光性樹脂構成的覆膜并對該覆膜實施曝光處理和顯影處理，從而形成具有規定圖案的基底層。在該情況下，利用光掩模進行灰度曝光(日文：階調露光)，從而在基底層上形成厚度小于其他部分的開口部。其后，在基底層上以通過開口部內的方式延伸地形成導體層，并在導體層上形成覆蓋層。另外，通過使覆蓋層中的與基底層的開口部相對應的部分開口而使導體層的表面暴露。然后，通過在支承基板中的與基底層的開口部相對應的部分形成開口部并貫通基底層的開口部，從而使導體層的背面暴露。在暴露出的導體層的兩面形成金屬鍍層。通過這樣設置來形成磁頭側連接端子和外部側連接端子。在上述制造方法中，在對支承基板上的覆膜進行顯影處理時，覆膜中的應當形成開口部的部分有時過量溶解而形成貫通開口部的底面的孔。在該情況下，當在之后的工序中在支承基板上形成開口部時，形成在開口部內的導體層的一部分有可能通過開口部的孔而被去除。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種防止了在灰度曝光時在絕緣層中形成孔的配線電路基板及其制造方法。(1)本專利技術的一技術方案提供一種配線電路基板的制造方法，該配線電路基板包括絕緣層和具有規定圖案的導體層，其中，該制造方法包括：使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模而進行向絕緣層照射曝光用光的灰度曝光的工序；以及以在絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部的方式對絕緣層實施顯影處理的工序，光掩模的部分透光區域包括第1區域和以包圍第1區域的方式設置的第2區域，第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。在該制造方法中，使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模來對絕緣層實施灰度曝光。其后，對絕緣層實施顯影處理。由此，在絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部。在光掩模的部分透光區域中，以包圍第1區域的方式設置有第2區域。在該情況下，第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。由此，絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分中的、在顯影處理時易于溶解的周緣部的區域與其他區域相比會被照射較多的曝光用光。因而，能夠防止在顯影處理時周緣部的區域的過量地溶解。其結果，能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔。(2)也可以是，絕緣層的凹部包括內側面和底面，絕緣層中的用于構成底面的部分的厚度是恒定的。在該情況下，通過使用上述光掩模，能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔并使絕緣層中的用于構成絕緣層的凹部的底面的部分的厚度恒定。(3)也可以是，光掩模的部分透光區域包括：多個第1光透過部，其配置在第1區域中，可供曝光用光透過；以及多個第2光透過部，其配置在第2區域中，可供曝光用光透過，透過各第2光透過部的曝光用光的量多于透過各第1光透過部的曝光用光的量。在該情況下，能夠以簡單的結構來使第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。(4)也可以是，透過各第2光透過部的曝光用光的量是透過各第1光透過部的曝光用光的量的1.1倍～1.5倍。在該情況下，能夠透過多個第1光透過部和多個第2光透過部向絕緣層適當地照射需要量的曝光用光。由此，能夠良好地形成絕緣層的凹部。(5)也可以是，各第1光透過部和各第2光透過部分別是圓形。在該情況下，在制造光掩模時，能夠高精度地形成多個第1光透過部和多個第2光透過部。(6)也可以是，各第1光透過部的直徑為4μm～14μm。在該情況下，通過使各第1光透過部的直徑為4μm以上，從而在制造光掩模時，能夠防止多個第1光透過部的直徑產生偏差。另外，通過使各第1光透過部的直徑為14μm以下，從而在對絕緣層進行灰度曝光時，能夠透過多個第1光透過部向絕緣層適當地照射需要量的曝光用光。(7)也可以是，一個第1光透過部的中心點與最接近該第1光透過部的另一第1光透過部的中心點之間的距離是6μm～28μm。在該情況下，能夠透過多個第1光透過部向絕緣層適當地照射需要量的曝光用光。(8)也可以是，一個第2光透過部的中心點與最接近該第2光透過部的另一第2光透過部的中心點之間的距離是6μm～28μm。在該情況下，能夠透過多個第2光透過部向絕緣層適當地照射需要量的曝光用光。(9)也可以是，多個第1光透過部和多個第2光透過部構成為多列，多列中的一列的多個第1光透過部和多個第2光透過部同與其相鄰的另一列的多個第1光透過部和多個第2光透過部配置為鋸齒狀。在該情況下，能夠透過多個第1光透過部向絕緣層均勻地照射曝光用光并透過多個第2光透過部向絕緣層均勻地照射曝光用光。由此，能夠適當地形成絕緣層的凹部。(10)也可以是，絕緣層形成在導電性支承基板上并包括應當被曝光用光照射的第1面和與導電性支承基板相接觸的第2面，制造方法還包括：以在顯影處理后的絕緣層的凹部的內部和絕緣層的第1面上延伸的方式形成導體層的工序；通過對導電性支承基板中的與絕緣層的凹部重疊的部分進行蝕刻而形成開口的工序；以及以使導體層中的形成于絕緣層的凹部的內部的部分暴露的方式去除絕緣層中的通過導電性支承基板的開口而暴露的部分的工序。在該情況下，由于導體層的一部分通過導電性支承基板的開口而暴露，因此能夠通過導電性支承基板的開口來將外部電路的端子連接到導體層上。采用本專利技術，由于能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔，因此，在導電性支承基板上形成開口的工序中，能夠防止導體層的一部分連同導電性支承基板的一部分一起因蝕刻而被去除。由此，能夠確保導體層的信號傳輸性。(11)本專利技術的另一技術方案提供一種配線電路基板，其中，該配線電路基板包括：絕緣層；以及導體層，其形成在絕緣層上，絕緣層具有通過本專利技術的一個技術方案的方法而形成的凹部。在該配線電路基板中，由于通過上述本專利技術的一個技術方案的方法而在絕緣層上形成凹部，因此能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔。附圖說明圖1是本實施方式的懸掛基板的俯視圖。圖2是圖1的懸掛基板的A－A剖視圖。圖3是圖1的懸掛基板的B－B剖視圖。圖4是光掩模的局部俯視圖。圖5的(a)～圖5的(d)是用于說明懸掛基板的制造方法的工序的剖視圖。圖6的(a)～圖6的(d)是用于說明懸掛基板的制造方法的工序的剖視圖。圖7的(a)～圖7的(c)是用于說明懸掛基板的制造方法的工序的剖視圖。圖8是光掩模的比較例的俯視圖。圖9的(a)～圖9的(c)是用于說明在使用圖8的光掩模對絕緣層進行了灰度曝光的情況下產生的問題的圖。具體實施方式下面，參照附圖說明本專利技術的一實施方式的配線電路基板及其制造方法。以下的實施方式的配線電路基板是用于硬盤本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種配線電路基板的制造方法，該配線電路基板包括絕緣層和具有規定圖案的導體層，其中，該制造方法包括：使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模而進行向上述絕緣層照射曝光用光的灰度曝光的工序；以及以在上述絕緣層中的透過上述部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部的方式對上述絕緣層實施顯影處理的工序；上述光掩模的上述部分透光區域包括第1區域和以包圍上述第1區域的方式設置的第2區域，上述第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于上述第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。

【技術特征摘要】
2012.03.02 JP 2012-0465701.一種配線電路基板的制造方法，該配線電路基板包括絕緣層和具有規定圖案的導體層，其中，該制造方法包括：使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模而進行向上述絕緣層照射曝光用光的灰度曝光的工序；以及以在上述絕緣層中的透過上述部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部的方式對上述絕緣層實施顯影處理的工序；上述光掩模的上述部分透光區域包括第1區域和以包圍上述第1區域的方式設置的第2區域，在上述第1區域，設置可供曝光用光透過的多個第1光透過部；在上述第2區域，設置可供曝光用光透過的多個第2光透過部；設定為上述多個第1光透過部中各第1光透過部的大小與上述多個第2光透過部中各第2光透過部的大小彼此相等，并且設定為上述多個第2光透過部的間距小于上述多個第1光透過部的間距，以使上述第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于上述第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量，或者，設定為上述多個第2光透過部中各第2光透過部的大小大于上述多個第1光透過部中各第1光透過部的大小，并且設定為上述多個第1光透過部的間距與上述多個第2光透過部的間距彼此相等，以使上述第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于上述第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量，上述多個第1光透過部的大小彼此相等且上述多個第1光透過部的間距均等，上述多個第2光透過部的大小彼此相等且上述多個第2光透過部的間距均等。2.根據權利要求1所述的配線電路基板的制造方法，其中，上述絕緣層的凹部包括內側面和底面，上述絕緣層中的用于構成上述底面的部分的厚度是恒定的。3.根據權利要求1所述的配...

【專利技術屬性】
技術研發人員：白藤陽平，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：