抗蝕圖形的形成方法、圖形形成方法、太陽能電池以及正型抗蝕組合物技術

本發明專利技術提供一種抗蝕圖形的形成方法，其包括：將正型抗蝕組合物涂布于包含太陽能電池基板的支承體上而形成抗蝕膜的工序，所述正型抗蝕劑含有酚醛清漆樹脂(A)和感光劑(B)、且由所述的正型抗蝕劑形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上，所述感光劑(B)含有具有三(羥苯基甲烷骨架的酚類(B1)與含醌二疊氮基的磺酰化合物(B2)的酯化合物；對該抗蝕膜選擇性地照射光而進行曝光的工序；和用堿性溶液將曝光后的該抗蝕膜顯影而將曝光部分除去的工序。

【技術實現步驟摘要】
抗蝕圖形的形成方法、圖形形成方法、太陽能電池以及正型抗蝕組合物
本專利技術涉及將包含太陽能電池用基板的支承體進行蝕刻時所用的抗蝕圖形的形成方法、使用了該抗蝕圖形的于支承體的圖形形成方法、具有該圖形的太陽能電池、以及太陽能電池的制造中所用的正型抗蝕組合物。
技術介紹
專利文獻1中公開了在太陽能電池的制造工序中對太陽能電池基板局部地進行蝕刻處理的技術。另外，專利文獻2及3中公開了對太陽能電池基板進行蝕刻處理時作為掩模劑所使用的正型抗蝕組合物。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利第3100901號公報專利文獻2：日本特開2010-176012號公報專利文獻3：國際公開第2010/013642號小冊子上述的正型抗蝕組合物含有感光劑，具有借助該感光劑而僅使曝光部在顯影液中可溶的特性。另外，感光劑對由正型抗蝕組合物構成的抗蝕膜的光透過性產生影響，當感光劑的含量增加時，抗蝕膜的光透過性會變小。另一方面，太陽能電池基板、形成于太陽能電池基板上的電極、擴散層、防反射膜等正型抗蝕組合物的涂布對象，即，抗蝕圖形的支承體，一般來說在表面具有凹凸。涂布正型抗蝕組合物而形成的抗蝕膜與支承體表面的凸部相比，在凹部處膜厚變大。這樣，就抗蝕膜的層疊于支承體的凹部上的部分而言，光難以到達抗蝕膜與支承體的界面。因此，抗蝕膜在支承體的凹部難以進行感光反應，因而無法獲得足夠的溶解速度。由此，抗蝕膜因膜厚的差別而在溶解速度方面產生差別。其結果是，抗蝕膜在支承體的凹部處處于脫落性容易降低的趨勢。
技術實現思路
本專利技術是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于，提供可以實現提高支承體的凹部處的抗蝕膜的脫落性的技術。本專利技術的一種方式為一種抗蝕圖形的形成方法。該抗蝕圖形的形成方法的特征在于，包括：將正型抗蝕組合物涂布在包含太陽能電池基板的支承體上而形成抗蝕膜的工序；對抗蝕膜選擇性地照射光而進行曝光的工序；以及用堿性溶液將曝光后的抗蝕膜顯影而將曝光部分除去的工序；其中，所述正型抗蝕組合物含有酚醛清漆樹脂(A)和感光劑(B)、且由所述正型抗蝕組合物形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上，所述感光劑(B)含有具有三(羥苯基)甲烷骨架的酚類(B1)與含醌二疊氮基的磺酰化合物(B2)的酯化合物。根據上述方式，可以提高支承體的凹部處的抗蝕膜的脫落性。在上述方式的抗蝕圖形的形成方法中，酚類(B1)可以由下式(1)或下式(2)表示。[式(1)、(2)中，Rb1～Rb5各自獨立地為氫原子、碳數1～10的烷基或環狀的烷基；Rb6為氫原子或甲基；p為1或2。]另外，含醌二疊氮基的磺酰化合物(B2)可以由下式(3)或下式(4)表示。[式(3)及式(4)中，R為氫原子、氯原子或甲基。]本專利技術的另一種方式是一種圖形形成方法。該圖形形成方法包括：將通過上述的任一種方式的抗蝕圖形的形成方法而形成的抗蝕圖形作為掩模，局部地將包含太陽能電池基板的支承體進行蝕刻的工序。本專利技術的另一種方式是一種太陽能電池。該太陽能電池包含通過上述的圖形形成方法而形成的圖形。本專利技術的另一種方式是一種正型抗蝕組合物。該正型抗蝕組合物的特征在于，含有酚醛清漆樹脂(A)和感光劑(B)、由所述正型抗蝕組合物形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上、用于太陽能電池的制造中，其中，所述感光劑(B)含有具有三羥苯基甲烷骨架的酚類(B1)與含醌二疊氮基的磺酰化合物(B2)的酯化合物。附圖說明圖1中的圖1(A)～圖1(D)是用于說明太陽能電池的制造工序的工序剖面圖。圖2中的圖2(A)～圖2(D)是用于說明太陽能電池的制造工序的工序剖面圖。圖3中的圖3(A)～圖3(C)是用于說明太陽能電池的制造工序的工序剖面圖。具體實施方式以下將基于優選的實施方式對本專利技術進行說明。實施方式并不限定專利技術、而為例示，實施方式中所述的所有的特征或其組合并不完全是專利技術的本質的內容。本實施方式的正型抗蝕組合物是在太陽能電池的制造時、例如在對包含太陽能電池基板的支承體局部地進行蝕刻處理時優選使用的正型抗蝕組合物。本實施方式的正型抗蝕組合物含有：酚醛清漆樹脂(A)、以及含有具有三羥苯基甲烷骨架的酚類(B1)與含有醌二疊氮基的磺酸(B2)的酯化合物的感光劑(B)，且由所述正型抗蝕組合物形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上、更優選為11％以上。由此，可以提高支承體的凹部處的抗蝕膜的脫落性。膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率的上限沒有特別限定，然而優選為30％以下。以下，對構成本實施方式的正型抗蝕組合物的各成分進行詳細說明。<酚醛清漆樹脂(A)>作為酚醛清漆樹脂(A)，可以舉出使下述例示的酚類與下述例示的醛類在鹽酸、硫酸、甲酸、草酸、對甲苯磺酸等酸性催化劑下反應而得的酚醛清漆樹脂等。作為酚類，例如可以舉出苯酚；間甲酚、對甲酚、鄰甲酚等甲酚類；2，3-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚等二甲苯酚類；間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰乙基苯酚、2，3，5-三甲基苯酚、2，3，5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚類；對甲氧基苯酚、間甲氧基苯酚、對乙氧基苯酚、間乙氧基苯酚、對丙氧基苯酚、間苯氧基苯酚等烷氧基苯酚類；鄰異丙烯基苯酚、對異丙烯基苯酚、2-甲基-4-異丙烯基苯酚、2-乙基-4-異丙烯基苯酚等異丙烯基苯酚類；苯基苯酚等芳基苯酚類；4，4’-二羥基聯苯、雙酚A、間苯二酚、對苯二酚、連苯三酚等多羥基苯酚類等。它們既可以單獨使用，也可以組合使用2種以上。這些酚類中，特別優選間甲酚、對甲酚。作為醛類，例如可以舉出甲醛、低聚甲醛、三聚甲醛(trioxane)、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、丁烯醛、環己醛(cyclohexanealdehyde)、糠醛、呋喃基丙烯醛、苯甲醛、對苯二甲醛、苯基乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、鄰羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、對羥基苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、肉桂醛等。它們既可以單獨使用，也可以組合使用2種以上。這些醛類中，從獲取的容易度考慮，優選甲醛。酚醛清漆樹脂(A)既可以由1種酚醛清漆樹脂構成，也可以由2種以上的酚醛清漆樹脂構成。在酚醛清漆樹脂(A)由2種以上的酚醛清漆樹脂構成的情況下，各酚醛清漆樹脂的Mw沒有特別限定，然而優選作為酚醛清漆樹脂(A)整體而以使重均分子量(Mw)達到1000～100000的方式進行制備。需說明的是，酚醛清漆樹脂(A)優選在正型抗蝕組合物中含有20～70質量％。作為在以上所說明的酚醛清漆樹脂(A)中共同的特性而言，可以舉出耐酸性優異。<感光劑(B)>感光劑(B)含有具有三羥苯基甲烷骨架的酚類(B1)與含醌二疊氮基的磺酸(B2)的酯化合物。更具體來說，感光劑(B)含有由下式(1)或(2)表示的具有三羥苯基甲烷骨架的酚類(B1)與含萘醌二疊氮基的磺酰化合物(B2)的酯化合物。[式(1)、(2)中，Rb1～Rb5各自獨立地為氫原子、碳數1～10的烷基或環狀的烷基；Rb6為氫原子或甲基；p為1或2。]由式本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種抗蝕圖形的形成方法，其特征在于，包括：將正型抗蝕組合物涂布于包含太陽能電池基板的支承體上而形成抗蝕膜的工序，其中，所述正型抗蝕組合物含有酚醛清漆樹脂A和感光劑B、且由所述正型抗蝕組合物形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上，所述感光劑B含有具有三(羥苯基)甲烷骨架的苯酚類B1與含醌二疊氮基的磺酰化合物B2的酯化合物；對所述抗蝕膜選擇性地照射光而進行曝光的工序；以及用堿性溶液將曝光后的所述抗蝕膜顯影而將曝光部分除去的工序。

【技術特征摘要】
2012.03.13 JP 2012-056395;2012.11.13 JP 2012-24961.一種抗蝕圖形的形成方法，其特征在于，包括：將正型抗蝕組合物涂布于包含太陽能電池基板的、在表面具有凹部和凸部的支承體上而形成抗蝕膜的工序，其中，所述正型抗蝕組合物含有酚醛清漆樹脂A和感光劑B、且由所述正型抗蝕組合物形成的膜厚3μm的抗蝕膜的波長365nm的光的透射率為10％以上，所述感光劑B含有具有三(羥苯基)甲烷骨架的酚類B1與含醌二疊氮基的磺酰化合物B2的酯化合物；對所述抗蝕膜選擇性地照射光而進行曝光的工序；以及用堿性溶液將曝光后的所述抗蝕膜顯影而將曝光部分除去的工序，所述抗蝕膜中，層疊于所述凹部上的部分的膜厚比層疊于所述凸部...

【專利技術屬性】
技術研發人員：富田浩明，吉井靖博，平井隆昭，
申請(專利權)人：東京應化工業株式會社，
類型：發明
國別省市：