一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。本發明專利技術有益的效果是：本發明專利技術結構通過結合三極管的溫度特性和NTC熱敏電阻，對LDMOS管子的溫度效應實現較好的抑制作用，針對現有LDMOS管的特性，提供一種具有溫度補償機制的，可使大功率射頻LDMOS放大器在不同溫度下維持其靜態工作電流的穩定，達到恒定功率輸出的目的。

【技術實現步驟摘要】
一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置
本專利技術是應用于無線通信技術中的射頻LDMOS功率放大器的溫度效應抑制裝置，特別涉及WCDMA,CDMA制式的通信系統中對采用射頻LDMOS器件的大功率功率放大器的輸出功率穩定有較大作用的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置。
技術介紹
LDMOS管是專為射頻功放放大器設計的改進型N溝道MOSFET，常工作在AB類，在工作點附近具有正的溫度特性，即在一定的柵壓下，當工作溫度升高時，其靜態電流IDQ升高；當工作溫度降低時，IDQ降低。一般地，當LDMOS管熱沉溫度從20℃升高到100℃時，其靜態工作電流IDQ變化140％；當溫度降低至0℃時，變化量也有30％。IDQ變化會影響系統的增益、效率和線性等指標，其中又以線性影響最大。因此，在工作中維持功率管IDQ穩定，是功放板設計的關鍵點之一。
技術實現思路
本專利技術要解決上述現有技術的缺點，提供一種具有溫度補償機制、不同溫度下維持其靜態工作電流的穩定，達到恒定功率輸出的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置。本專利技術解決其技術問題采用的技術方案：這種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。所述限流電阻R0和三極管T1、T2的基級之間連接有分壓電阻R1、R2。所述三極管T1、T2的發射極接地。所述LDMOS功率放大器的管腳1為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳1輸入。本專利技術有益的效果是：本專利技術結構通過結合三極管的溫度特性和NTC（NegativeTemperatureCoefficient負溫度系數）熱敏電阻，對LDMOS管子的溫度效應實現較好的抑制作用，針對現有LDMOS管的特性，提供一種具有溫度補償機制的，可使大功率射頻LDMOS放大器在不同溫度下維持其靜態工作電流的穩定，達到恒定功率輸出的目的。附圖說明圖1是本專利技術電路示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術作進一步說明：如圖所示，這種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1（柵極）連通，限流電阻R0和三極管T1、T2的基級之間連接有分壓電阻R1、R2，三極管T1、T2的發射極接地。LDMOS功率放大器的管腳2（源極）接地，管腳3（漏極）為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通，由微控制器MCU來控制電源模塊輸出一個合適的電壓（按照LDMOS功率放大器的輸出功率來定），LDMOS功率放大器的管腳1為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳1輸入。LDMOS功率放大器的正溫度特性被NTC電阻R3的負溫度特性所抵消，最終實現了功放管的額輸出功率穩定。電路通過三極管T1來牽制三極管T2的集電極電流，溫度升高，使三極管T2的UBE電壓變小，三極管T2的集電極電流增加，三極管T2集電極對地的電壓升高，這時，同樣由于溫度升高使得三極管T1的UBE電壓也變小，這樣就削弱了三極管T2基極電流的增大，從而抑制了三極管T2集電極電流的增加，使得三極管T2集電極對地電壓隨溫度的升高保持一定的穩定。當溫度降低時三極管T1牽制三極管T2的效果相同，從而不管是溫度升高還是降低三極管T2集電極對地的電壓都保持在一定的恒定值下。而三極管T2集電極的電壓在保持恒定的同時，NTC電阻R3與分壓電阻R1、R2組成的LDMOS功率放大器柵極供電電壓卻在有序變化，當溫度升高時NTC電阻R3的阻值會變小，從而使得整體上加到柵極的電壓會變小，抵制了由于溫度升高而使LDMOS功率放大器漏極的電流增大的因素。當溫度降低時原理相同，最終使LDMOS功率放大器的柵壓也就實現了相對的“負溫度特性”，最終保證了LDMOS功率放大器的輸出功率穩定。本專利技術利用三極管本身的溫度特性互相制約實現LDMOS功率放大器柵極供電電源的溫度特性穩定，從而為NTC電阻R3的負溫度特性提供了一個精準的電壓參考，而NTC電阻R3的負溫度特性通過電路實現了與LDMOS功率放大器正溫度特性的相互抵消，最終實現了有效抑制功放管的溫度效應。除上述實施例外，本專利技術還可以有其他實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本專利技術要求的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是：電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。

【技術特征摘要】
1.一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是：電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通；電路通過三極管T1來牽制三極管T2的集電極電流，溫度升高，使三極管T2的UBE電壓變小，三極管T2的集電極電流增加，三極管T2集電極對地的電壓升高，這時，同樣由于溫度升高使得三極管T1的UBE電壓也變小，這樣就削弱了三極管T2基極電流的增大，從而抑制了三極管T2集電極電流的增加，使得三極管T2集電極對地電壓隨溫度的升高保持一定的穩定；當溫度降低時三極管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳志堅，李成恩，
申請(專利權)人：三維通信股份有限公司，
類型：發明
國別省市：