晶片品質檢驗方法技術

本發明專利技術公開了一種晶片品質檢驗方法，包含有下列步驟：先設定一組檢測參數；而后，掃描該晶片并依據所設定的參數檢測各晶粒，并將掃描后的晶粒外觀以及檢測結果輸出形成一晶粒狀態圖(Die?Status?Map)；依據產生的晶粒狀態圖產生一用以顯示該晶片檢測不合格的晶粒的不合格晶粒圖；抽測所產生的不合格晶粒圖中的至少一晶粒是否合格；若是，則修改該晶粒狀態為合格，并依據抽測結果修改該晶粒狀態圖；儲存并輸出修改后的晶粒狀態圖。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種晶片品質檢驗方法，用以檢查晶片中各晶粒是否合格；該品質檢驗方法包含有下列步驟：A.設定一組檢測參數；B.掃描該晶片并依據步驟A所設定的參數檢測各晶粒，并將掃描后的晶粒外觀以及檢測結果輸出形成一晶粒狀態圖(Die?Status?Map)；C.依據步驟B形成的晶粒狀態圖產生一用以顯示該晶片檢測不合格的晶粒的不合格晶粒圖；D.抽測步驟C所產生的不合格晶粒圖中的至少一晶粒是否合格；若是，則修改該晶粒狀態為合格，并依據抽測結果修改該晶粒狀態圖；E.儲存并輸出步驟D修改后的晶粒狀態圖。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡振揚，周明澔，楊上毅，吳佳興，
申請(專利權)人：旺矽科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：