一種無氮介質抗反射層的離線檢測方法技術

本發明專利技術提供一種無氮介質抗反射層的離線檢測方法，包括在半導體襯底的表面沉積一層非晶碳薄膜，使得半導體襯底表面的光學性質和無氮介質抗反射層的光學性質不相同；在經非晶碳薄膜的表面沉積無氮介質抗反射層；將帶有無氮介質抗反射層的半導體襯底置于測量機臺進行測量。本發明專利技術的方法提高了對無氮介質抗反射層的離線檢測的準確性和穩定性，從而進一步提高光刻工藝的穩定性。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種無氮介質抗反射層的離線檢測方法，其特征在于，包括：步驟S01：在半導體襯底的表面沉積一層非晶碳薄膜；步驟S02：在所述非晶碳薄膜的表面沉積所述無氮介質抗反射層；步驟S03：將所述帶有無氮介質抗反射層的半導體襯底置于測量機臺進行測量。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：雷通，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：