檢查填充工藝中空隙的方法技術

本發(fā)明專利技術提出一種檢查填充工藝中空隙的方法，對待測晶圓進行多次酸槽清洗處理，并在酸槽清洗后分別目檢，檢查所述待測晶圓表面是否存在空洞；若存在空洞，則對空洞進行分析，從而優(yōu)化填充工藝，若多次目檢之后均不存在空洞則無需對填充工藝進行優(yōu)化；目檢能夠檢查待測晶圓整個表面，且其成本低，耗時短，從而能夠快速而又準確的檢查出淺溝槽隔離氧化硅是否存在空洞。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

【技術保護點】
一種檢查填充工藝中空隙的方法，包括步驟：第一步，提供待測晶圓，使用填充工藝在所述待測晶圓上形成淺溝槽隔離氧化硅；第二步，對待測晶圓的表面進行目檢；第三步，判斷是否存在空洞；第四步，若所述待測晶圓表面存在空洞，則分析空洞形態(tài)，對填充工藝進行優(yōu)化；第五步，若所述待測晶圓表面不存在空洞，則對淺溝槽隔離氧化硅進行多次酸槽清洗，每次酸槽清洗之后均跳回第二步進行循環(huán)；第六步，若多次酸槽清洗之后目檢所述待測晶圓表面不存在空洞，則無需對工藝進行優(yōu)化。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：徐靈芝，張文廣，鄭春生，陳玉文，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：