【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種FPGA片上SRAM電源，其特征在于：包括用于提供1.2V和1.8V的雙基準電壓的參考電壓電路、用于檢測SRAM電源電壓值和1.2V基準電壓并產生數字邏輯輸出的電壓檢測器、用于抑制或補償SRAM的電源電壓并提高SRAM電源電壓的驅動能力的電壓比較器、用于產生電壓泵輸出電壓的有效VCLK時鐘信號的環形振蕩器、用于為全芯片的SRAM單元提供3.3V的電源支持的電荷泵；所述參考電壓電路連接電壓檢測器，所述電壓檢測器連接環形振蕩器和SRAM單元，所述電壓比較器連接電荷泵，所述環形振蕩器連接電荷泵，所述電荷泵為SRAM單元提供工作電源。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：何弢，
申請(專利權)人：成都鴻芯紀元科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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