一種使用高溫超導(dǎo)YBCO雙晶結(jié)探測高溫超導(dǎo)BSCCO太赫茲輻射的裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術(shù)公開了一種使用高溫超導(dǎo)YBCO雙晶結(jié)探測高溫超導(dǎo)BSCCO太赫茲輻射的裝置，包括相互連接的主體一和主體二，分別在所述主體一和主體二的對應(yīng)位置設(shè)穿孔；在所述的穿孔內(nèi)設(shè)超半球硅透鏡一和超半球硅透鏡二；待測BSCCO設(shè)在超半球硅透鏡一外側(cè)，并確保BSCCO結(jié)對準(zhǔn)超半球硅透鏡一的中心位置；待測YBCO設(shè)在超半球硅透鏡二外側(cè)，并確保YBCO結(jié)對準(zhǔn)超半球硅透鏡二的中心位置。該裝置，結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計巧妙，可最大程度上減少輻射的損失。使用本實用新型專利技術(shù)的裝置，可以成功使用高溫超導(dǎo)YBCO雙晶結(jié)探測到了來自BSCCO的太赫茲輻射。為今后研制集成了本振的高溫超導(dǎo)YBCO太赫茲探測器打下基礎(chǔ)。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種使用高溫超導(dǎo)YBCO雙晶結(jié)探測高溫超導(dǎo)BSCCO太赫茲輻射的裝置，其特征在于：包括相互連接的主體一（1）和主體二（2），分別在所述主體一（1）和主體二（2）的對應(yīng)位置設(shè)穿孔；在所述的穿孔內(nèi)設(shè)超半球硅透鏡一（3）和超半球硅透鏡二（4）；待測BSCCO（5）設(shè)在超半球硅透鏡一（3）外側(cè)，并確保BSCCO（5）結(jié)對準(zhǔn)超半球硅透鏡一（3）的中心位置；待測YBCO（6）設(shè)在超半球硅透鏡二（4）外側(cè)，并確保YBCO（6）結(jié)對準(zhǔn)超半球硅透鏡二（4）的中心位置。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：許偉偉，安德越，郁梅，王華兵，孫國柱，吳培亨，
申請(專利權(quán))人：南京大學(xué)，
類型：實用新型
國別省市：