一種含有鈦雜質(zhì)中間帶的晶體硅材料及其制備方法技術(shù)

一種含有鈦雜質(zhì)中間帶的晶體硅材料及其制備方法，涉及晶體硅材料。所述含有鈦雜質(zhì)中間帶的晶體硅材料包括硅層和中間帶層，所述中間帶層位于硅層上表面，中間帶層的深度為0.2～1.0μm，注入濃度為6×1019-1×1022cm-3，中間帶層的波長(zhǎng)范圍為1～3μm，紅外光的吸收系數(shù)超過1×104～1×105cm-1，中間帶層的少子壽命為硅層材料少子壽命的5～20倍。在硅片表面制備一層鈦薄膜；把帶有鈦薄膜的硅片用激光輻照；把激光輻照后的硅片進(jìn)行退火處理；將退火后的硅片進(jìn)行腐蝕，制得含有鈦雜質(zhì)中間帶的晶體硅材料。使鈦的注入濃度超過Mott轉(zhuǎn)變濃度，可形成雜質(zhì)中間帶。可用來(lái)制備高靈敏紅外探測(cè)器。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種含有鈦雜質(zhì)中間帶的晶體硅材料，其特征在于包括硅層和中間帶層，所述中間帶層位于硅層上表面，中間帶層的深度為0.2～1.0μm，注入濃度為6×1019?1×1022cm?3，中間帶層的波長(zhǎng)范圍為1～3μm，紅外光的吸收系數(shù)超過1×104～1×105cm?1，中間帶層的少子壽命為硅層材料少子壽命的5～20倍。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳朝，范寶殿，蔡麗晗，陳蓉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廈門大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：