本發明專利技術揭示一種成像裝置，其包括至少一個陣列圖案區和至少一個衰減區。所述至少一個陣列圖案區中的多個成像特征與所述至少一個衰減區中的多個輔助特征具有彼此大體上相同的大小且大體上按某一間距形成。還揭示了形成成像裝置的方法以及形成半導體裝置結構的方法。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何元，卡韋里·賈殷，勾力晶，張姿淑，安東·J·德維利耶，邁克爾·海厄特，周建明，斯科特·萊特，丹·B·米爾沃德，
申請(專利權)人：美光科技公司，
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