【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種基于外延技術的三維集成功率半導體，其特征在于：所述集成功率半導體從下至上依次包括重摻雜N型硅片、第一層輕摻雜N型外延層、第二層輕摻雜N型外延層和第三層輕摻雜N型外延層，第二層輕摻雜N型外延層和第三層輕摻雜N型外延層之間包含P_bulk層，P_bulk層上方的第三層輕摻雜N型外延層中包含PBL、P_sink區和N_sink區，第二、三層輕摻雜N型外延層中有填充槽，槽內為填充介質。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：傅興華，馬奎，楊發順，林潔馨，
申請(專利權)人：貴州大學，
類型：實用新型
國別省市：
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