極紫外光刻工藝和掩模制造技術

公開了一種極紫外光刻(EUVL)的工藝。該工藝包括：接收具有多種形態件的極紫外(EUV)掩模。將EUV掩模的不同形態件分配給鄰近的多邊形和場。通過部分相干性σ小于0.3的幾乎軸上照明(ONI)暴露EUV掩模以產生衍射光和非衍射光。去除大部分非衍射光。通過投影光學箱聚集并引導衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目標。本發明專利技術提供了極紫外光刻工藝和掩模。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種極紫外光刻(EUVL)工藝，包括：接收具有三種形態件的極紫外(EUV)掩模：反射系數為r1的第一形態件、反射系數為r2的第二形態件以及反射系數為r3的第三形態件，其中，r1的絕對值大于r2的絕對值，r2的絕對值大于r3的絕對值，r1和r2的相位差在160°到200°的范圍內，r2和r3的相位差在160°到200°的范圍內，以及r3和r1的相位差小于40°，并且其中，將所述第一形態件和所述第二形態件分配給鄰近的多邊形，而將所述第三形態件分配給場，所述場是沒有多邊形的區域；通過部分相干性σ小于0.3的幾乎軸上照明(ONI)暴露所述EUV掩模以產生衍射光和非衍射光；去除多于70％的所述非衍射光；以及通過投影光學箱(POB)聚集并引導所述衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目標。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：游信勝，盧彥丞，嚴濤南，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：