【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種摻雜區的制作方法，其特征在于，包括：提供半導體基底，且所述半導體基體包括至少一溝槽；形成介電層于所述半導體基底上，且所述介電層完全覆蓋所述溝槽；形成保護層部分覆蓋所述溝槽，且所述介電層位于所述保護層以及所述溝槽之間；在所述溝槽中形成含摻雜劑的導電層；以及進行退火工藝。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳逸男，徐文吉，葉紹文，劉獻文，
申請(專利權)人：南亞科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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