一種半導體器件制造技術

提供了一種半導體器件。所述器件包括：半導體襯底；形成于半導體襯底上的柵堆疊以及側墻；形成于所述柵堆疊兩側的半導體襯底內的源極區和漏極區；其中所述柵堆疊的下部包括：高k柵介質層；形成于所述高k柵介質層上的功函數金屬層；形成于所述功函數金屬層上的第一金屬層，其中所述第一金屬層的底部和側壁由所述功函數金屬層覆蓋；其中所述柵堆疊的上部包括形成于所述第一金屬層及功函數金屬層上的第二金屬層。由于功函數金屬層（214）具有高電阻并且第二金屬層（218）具有低電阻，因此顯著減小了柵極結構整體的電阻，進而提高了半導體器件的交流性能。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：尹海洲，鐘匯才，朱慧瓏，駱志炯，
申請(專利權)人：中國科學院微電子研究所，
類型：
國別省市：