包括在優選方向生長的Cu6Sn5晶粒的電性連接結構及其制備方法技術

本發明專利技術公開了一種包括在優選方向生長的Cu6Sn5晶粒的電性連接結構及其制備方法。本發明專利技術的電性連接結構的制備方法包括步驟：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一納米雙晶銅層；C、使用一焊料將第一基板與一第二基板連接，第二基板具有一第二電性墊，第二電性墊包括第二納米雙晶銅層，且焊料配置于第一及第二納米雙晶銅層之間；以及D、以200℃至300℃的溫度進行回焊(reflow)使焊料部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic?compound，IMC)層，且介金屬化合物層包括在優選方向(preferred?orientation)生長的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二納米雙晶銅層的50％以上的體積分別包括雙晶銅晶粒。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種包括在優選方向生長的Cu6Sn5晶粒的電性連接結構的制備方法，包括步驟：A、提供一第一基板；B、在該第一基板的部分表面形成一第一納米雙晶銅層；C、使用一焊料將該第一基板與一第二基板連接，該第二基板具有一第二電性墊，該第二電性墊包括一第二納米雙晶銅層，且該焊料配置于該第一納米雙晶銅層與該第二納米雙晶銅層之間；以及D、以200℃至300℃的溫度進行回焊(reflow)使該焊料至少部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic?compound，IMC)層，且該介金屬化合物層包括在優選方向(orientational)生長的多個Cu6Sn5晶粒；其中，該第一納米雙晶銅層及該第二納米雙晶銅層的50％以上的體積分別包括多個雙晶銅晶粒。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：陳智，林漢文，
申請(專利權)人：財團法人交大思源基金會，
類型：發明
國別省市：