一種可自定義分光比的集成光功率分路器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種可自定義分光比的集成光功率分路器，涉及光通信分光技術(shù)領(lǐng)域，意在提供一種可自定義分光比的集成光功率分路器，在制造時(shí)可根據(jù)自行設(shè)計(jì)的分光比需要進(jìn)行制造，且穩(wěn)定性好，制作簡(jiǎn)單。其步驟為：選擇石英制作襯底層，選擇折射率低的純材料制作下包層，選擇折射率高的摻雜材料制作芯層，將芯層加工成Y型波導(dǎo)光路，選擇與下包層折射率相同的摻雜材料制作上包層，在Y型波導(dǎo)光路的拉錐型分叉段一側(cè)方的上包層內(nèi)設(shè)置波導(dǎo)凹槽，選擇折射率符合分光比設(shè)計(jì)要求的輔助波導(dǎo)材料注入到波導(dǎo)凹槽內(nèi)固化后形成輔助波導(dǎo)塊，最后通過(guò)封裝技術(shù)進(jìn)行貼蓋板封裝。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)主用應(yīng)用于光通信分光技術(shù)中。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種可自定義分光比的集成光功率分路器，其特征在于，包括，襯底層、下包層、芯層、上包層和貼蓋板，采用石英材料制作襯底層，并對(duì)襯底層的表面進(jìn)行拋光處理；在襯底層的上表面，采用折射率低的純材料，通過(guò)CVD方法沉積制作厚度為16?30微米的下包層；在下包層的上表面，采用折射率高的摻雜材料，通過(guò)CVD方法沉積制作厚度為6微米的芯層；?采用光刻和刻蝕工藝對(duì)芯層進(jìn)行處理，將芯層加工成截面為6×6微米的Y形波導(dǎo)光路；采用與下包層折射率相同的摻雜材料，在下包層的上表面以及Y形波導(dǎo)光路的上表面，通過(guò)CVD方法沉積制作厚度為16?30微米的上包層，使Y形波導(dǎo)光路除輸入端和輸出端外均被密封在上包層和下包層之間；在Y形波導(dǎo)光路的拉錐型分叉段一側(cè)方的上包層內(nèi)設(shè)置波導(dǎo)凹槽，波導(dǎo)凹槽的槽底落在下包層的上表面上或落在下包層內(nèi)，波導(dǎo)凹槽的開(kāi)口在上包層的上表面上，且波導(dǎo)凹槽距離Y形波導(dǎo)光路0.4?2.3微米，波導(dǎo)凹槽的寬度為8微米，波導(dǎo)凹槽的長(zhǎng)度要根據(jù)Y形波導(dǎo)光路的拉錐型分叉段長(zhǎng)度來(lái)設(shè)定，并且波導(dǎo)凹槽的一端要超過(guò)拉錐型分叉段的錐底30微米，波導(dǎo)凹槽的另一端與拉錐型分叉段的錐尖平行；選擇折射率符合分光比設(shè)計(jì)要求的輔助波導(dǎo)材料注入到波導(dǎo)凹槽內(nèi)，并讓輔助波導(dǎo)材料在波導(dǎo)凹槽內(nèi)固化；通過(guò)封裝技術(shù)進(jìn)行貼蓋板封裝。...

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡燦棟，劉勇，張麗丹，吳克非，陸昇，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：杭州天野通信設(shè)備有限公司，
類(lèi)型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：