具有含銦包層的半導體激光器制造技術

半導體激光器的一個實施例包括：(a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN襯底；(b)位于襯底之上的n摻雜包層；(c)位于n摻雜包層之上的p摻雜包層；(d)位于n摻雜包層和p摻雜包層之間的至少一個有源層，并且所述包層中的至少一個包括AlInGaN/GaN、AlInGaN/AlGaN、AlInGaN//InGaN或AlInGaN/AlN的超結構結構，其組成使整個結構的總晶格失配應變不超出40nm％。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：R·巴特，D·S·茲佐夫，CE·扎，
申請(專利權)人：康寧股份有限公司，
類型：
國別省市：