一種集成電路制造設備的零部件的陽極膜的制造方法技術

本發(fā)明專利技術公開了一種集成電路制造設備的零部件的陽極膜的制造方法，包括以下步驟：選擇一矩形的鋁合金板為陽極膜的底材；將底材放入有機溶液中進行表面清洗；將底材放入氫氧化鈉溶液中進行鹼洗；對底材的表面進行研磨；對底材的表面進行噴射，使底材的表面粗糙度為1μm以下；將底材放入含有濃度為10%的硫酸溶液的陽極槽中，在相同的電壓下依不同階段給予硫酸溶液不同的電流，對底材進行陽極氧化處理而成膜；將陽極膜放入100℃的開水中進行30～60分鐘的封孔處理，得到厚度為50μm～60μm的陽極膜。本發(fā)明專利技術的陽極膜的制造方法，得到的較薄的陽極膜達到厚陽極膜具有的高抗腐蝕性、高抗電壓性、高耐磨性，達到對零部件保護的目的。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

【技術保護點】
一種集成電路制造設備的零部件的陽極膜的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：底材選擇步驟，選擇一矩形的鋁合金板為陽極膜的底材；清洗步驟，將底材放入有機溶液中進行表面清洗；鹼洗步驟，將底材放入氫氧化鈉溶液中進行鹼洗；研磨步驟，對底材的表面進行研磨，去除表面不平整，使底材的表面光滑；粗化處理步驟，采用噴砂機以玻璃砂為磨料對底材的表面進行噴射，對底材的表面進行細微粗化處理，使底材的表面粗糙度為1μm以下；成膜步驟，將底材放入含有濃度為10%的硫酸溶液的陽極槽中，在相同的電壓下依不同階段給予硫酸溶液不同的電流，對底材進行陽極氧化處理：先在10分鐘內(nèi)將電流從0加到10安培，其次在20分鐘內(nèi)將電流從10安培加到20安培，接著在10分鐘內(nèi)第一次將電流降到0，再在10分鐘內(nèi)將電流從0升到20安培，保持20分鐘后在10分鐘內(nèi)將電流升到25安培，保持10分鐘，又在10分鐘內(nèi)將電流加大到30安培，保持10分鐘，然后在10分鐘內(nèi)第二次將電流降為0，又在10分鐘內(nèi)將電流加到30安培，保持20分鐘，再在10分鐘內(nèi)將電流加到35安培，保持10分鐘，又在10分鐘內(nèi)將電流加到40安培，保持10分鐘，最后在10分鐘內(nèi)將電流降為0，結束成膜；封孔步驟，將陽極膜放入100℃的開水中進行30～60分鐘的封孔處理，得到厚度為50μm～60μm的陽極膜。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：呂永照，
申請(專利權)人：上海科秉電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：