一種超勢(shì)壘整流器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種超勢(shì)壘整流器件，該整流器件保留了現(xiàn)有肖特基勢(shì)壘整流器件的特點(diǎn)且具有MOS結(jié)構(gòu)，并且在位于柵極下方的第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)設(shè)置第二導(dǎo)電類型淺注入?yún)^(qū)，在接正向電壓時(shí)，該第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)并不影響電流的導(dǎo)通，從而不影響正向壓降Vf，而當(dāng)接反向電壓時(shí)，該第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)可快速夾斷電流，使Ir更小，反向恢復(fù)又快又軟。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種超勢(shì)壘整流器件，在整流器件的截面上包括一半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板的下部為重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型襯底，半導(dǎo)體基板的上部為輕摻雜的第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)，所述半導(dǎo)體基板的上表面定義為第一表面，半導(dǎo)體基板的下表面定義為第二表面，其特征在于：所述第一表面間隔覆蓋有若干個(gè)絕緣柵氧化層，每個(gè)絕緣柵氧化層上均覆蓋有第一電極；所述第一表面未覆蓋所述絕緣柵氧化層的區(qū)域設(shè)置若干個(gè)溝槽，該溝槽由第一表面延伸進(jìn)入第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)；所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)在溝槽的側(cè)溝沿處設(shè)有第一導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)，所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)上部設(shè)有與溝槽數(shù)目對(duì)應(yīng)且相互獨(dú)立的第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)，每個(gè)第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)包裹一個(gè)溝槽以及對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)；在所述第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)之間設(shè)有第二導(dǎo)電類型淺注入?yún)^(qū)，該第二導(dǎo)電類型淺注入?yún)^(qū)位于第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)頂部與所述絕緣柵氧化層底部接觸并與所述第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)連接，所述第一表面上及溝槽內(nèi)設(shè)置有第一金屬，第一金屬與第一電極、第一表面均歐姆接觸，所述第二表面上設(shè)置有與第二表面歐姆接觸的第二金屬。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：丁磊，殷允超，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：張家港凱思半導(dǎo)體有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：