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    一種高性能光電功能晶體硼酸鈣氧銩晶體及其生長與應用制造技術

    技術編號:9402759 閱讀:206 留言:0更新日期:2013-12-05 04:59
    本發明專利技術涉及一種高性能光電功能晶體硼酸鈣氧銩晶體及其生長與應用。所述硼酸鈣氧銩晶體,化學式為TmCa4O(BO3)3,晶體具有非中心對稱結構,屬于單斜晶系m點群,晶胞參數β=101.12°,熔點1460℃,室溫到熔點沒有相變。晶體生長方法包括多晶料的制備和提拉法晶體生長,可制得直徑20-40mm、高20-50mm的高品質硼酸鈣氧銩晶體。所述TmCa4O(BO3)3晶體在808nm-1100nm和1300nm-1560nm波段有>80%的高光學透過率,有效壓電常數為deff=1pC/N-5pC/N,有效機電耦合系數為keff=10-30%,可作為非線性光學晶體、激光晶體或壓電晶體應用。

    【技術實現步驟摘要】

    【技術保護點】
    一種硼酸鈣氧銩晶體,化學式為TmCa4O(BO3)3,晶體具有非中心對稱結構,屬于單斜晶系m點群,晶胞參數β=101.12°,熔點1460℃,室溫到熔點沒有相變。FDA0000367939670000011.jpg

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:趙顯于法鵬王正平劉彥慶侯帥路慶明程秀鳳
    申請(專利權)人:山東大學
    類型:發明
    國別省市:

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