一種極紫外線曝光用掩膜的修正方法，確定在從所述吸收膜露出的所述保護膜的露出區域中的Mo/Si多層膜的缺陷位置，對于在俯視所述極紫外線曝光用掩膜時覆蓋缺陷位置的范圍，照射直徑被縮小到極紫外線曝光光線的波長以下的光束，從而在極紫外線曝光用掩膜的上表面形成多個最大寬度在波長以下的孔，其中，極紫外線曝光用掩膜具有：Mo/Si多層膜，其包括層疊在基板上的鉬層及硅層；保護膜，其形成在所述Mo/Si多層膜上；吸收膜，其形成在所述保護膜上。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】【專利摘要】一種極紫外線曝光用掩膜的修正方法，確定在從所述吸收膜露出的所述保護膜的露出區域中的Mo/Si多層膜的缺陷位置，對于在俯視所述極紫外線曝光用掩膜時覆蓋缺陷位置的范圍，照射直徑被縮小到極紫外線曝光光線的波長以下的光束，從而在極紫外線曝光用掩膜的上表面形成多個最大寬度在波長以下的孔，其中，極紫外線曝光用掩膜具有：Mo/Si多層膜，其包括層疊在基板上的鉬層及硅層；保護膜，其形成在所述Mo/Si多層膜上；吸收膜，其形成在所述保護膜上?！緦＠f明】極紫外線曝光用掩膜的修正方法及極紫外線曝光用掩膜
本專利技術涉及一種EUV (Extreme Ultra Violet:極紫外線)曝光用掩膜的修正方法及EUV曝光用掩膜。更詳細來說，涉及一種在EUV曝光用掩膜的多層膜產生的缺陷的修正方法及EUV曝光用掩膜。本申請基于2011年03月31日在日本申請的日本特愿2011-080112號主張優先權，將其內容援用于此。
技術介紹
為了追求用于形成半導體元件的曝光圖案的析像極限，以曝光形成更微細的圖案，提出有電子束描畫裝置(EB)的直寫、單元投影(cell projection)、軟X射線縮小曝光(Extreme Ultra Violet Lithography (極紫外光刻):EUVL)之類的新轉印方法。在其中，EUVL為利用反射光學系統對波長約13納米(nm)的軟X射線進行縮小曝光的光刻技術，被看作是利用紫外線的曝光的短波長化的極限，因此，受到關注。EUVL所使用的掩膜是包括在石英基板上交替形成鑰及硅層而成的Mo/Si多層膜、TaN和TiN等的吸收體、在Mo/Si多層膜與吸收體之間由二氧化硅(Si02)和鉻(Cr)等形成的緩沖層，并將吸收體刻畫為圖案的反射掩膜。就Mo/Si多層膜而言，考慮照射光的反射效果和基于熱負荷的應力的平衡，來選擇膜厚和成膜條件。在EUVL掩膜中，在基板表面存在凹凸形狀的缺陷的情況下，就現有的光掩模而言，即使是能夠忽視的等級的缺陷，也會給光程差帶來很大的影響，有可能成為致命的缺陷。作為這種缺陷，除了吸收體的圖案缺陷以外，還列舉有Mo/Si多層膜的缺陷、基板表面的缺陷等。特別是，Mo/Si多層膜的缺陷包括:在多層膜表面的附近混入異物等，使EUV反射光的強度下降的振幅缺陷；在基板上或Mo/Si多層膜的成膜初期混入異物等，伴隨多層膜的內部結構變化，多層膜表面的凹凸形狀進行傳播而產生的相位缺陷。這些振幅缺陷、相位缺陷為導致晶片轉印的良品率下降的原因，所以需要在形成吸收體、緩沖層之前進行缺陷修正來去除這些缺陷。就這種缺陷修正，在專利文獻I中記載有如下的內容:通過對在多層膜中存在的異物局部地照射電子束等，在照射部分形成硅化物，從而消除因體積收縮而引起的高度差。另外，在專利文獻2中記載有如下的內容:針對在玻璃基板上存在的異物，聚集具有不被玻璃基板吸收的波長的激光，并從玻璃基板的背面照射至異物，通過加熱來在Mo/Si多層膜界面形成硅化物，以緩和在Mo/Si多層膜上產生的高度差?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2006-059835號公報專利文獻2:日本特開2006-060059號公報
技術實現思路
專利技術要解決的問題在EUVL中，由于能夠利用的光受到限制，所以存在反射效率下降的問題。因此，要求提高多層膜表面的反射率。就此而言，由于在多層膜的層之間或在多層膜的下方存在的顆粒、層疊的各層的膜厚的變化、材料的光學特性的偏差，產生多層膜結構的缺陷，或者使層疊膜厚不均勻，所以使得照射光的反射率下降。EUV曝光的照射光的反射受到上述因素的影響很大，有時反射率的變化在轉印的晶片上顯現成微弱的曝光圖像。在專利文獻I及2記載的技術中，都難以對這種局部進行修正。本專利技術是鑒于上述情況而提出的，本專利技術的目的在于，提供一種能夠使極紫外線曝光的照射光的反射率局部提高的極紫外線曝光用掩膜的修正方法。本專利技術的另一個目的在于，提供一種抑制在描畫的晶片上因缺陷而產生曝光圖像及抑制產生曝光圖像的程度的極紫外線曝光用掩膜。用于解決問題的手段本專利技術的第一技術方案為一種極紫外線曝光用掩膜的修正方法，其中，所述極紫外線曝光用掩膜具有:Mo/Si多層膜，其包括層疊在基板上的鑰層及硅層；保護膜，其形成在所述Mo/Si多層膜上；吸收膜，其形成在所述保護膜上，確定在從所述吸收膜露出的所述保護膜的露出區域中的所述Mo/Si多層膜的缺陷位置，對于在俯視所述極紫外線曝光用掩膜時覆蓋所述缺陷位置的范圍，照射直徑被縮小到極紫外線曝光光線的波長以下的光束，從而在所述極紫外線曝光用掩膜的上表面形成最大寬度在所述波長以下的多個孔。在俯視所述極紫外線曝光用掩膜的情況下，可以以孔間間隔小于所述波長的兩倍的規定間隔排列成柵格狀的方式形成所述孔?？梢砸允顾鯩o/Si多層膜的所述硅層露出在所述孔的底面的方式形成所述孔?？梢砸徊⒋_定在所述保護膜的露出區域中的所述Mo/Si多層膜的缺陷位置和所述缺陷的形狀?？梢愿鶕_定出的所述缺陷位置及所述缺陷的形狀，來決定覆蓋所述缺陷位置的范圍、所述孔的俯視時的形狀、最大寬度及間隔。本專利技術的第二技術方案為一種極紫外線曝光用掩膜，具有:Mo/Si多層膜，其包括層疊在基板上的鑰層及硅層；保護膜，其形成在所述Mo/Si多層膜上；吸收膜，其形成在所述保護膜上，在從所述吸收膜露出的所述保護膜的露出區域具有反射率增加部，所述反射率增加部形成有最大寬度在極紫外線曝光光線的波長以下的多個孔。在所述反射率增加部，多個所述孔可以以所述孔的間隔小于所述波長的兩倍的規定間隔排列成柵格狀。專利技術的效果根據本專利技術的技術方案的極紫外線曝光用掩膜的修正方法，能夠局部地改善因Mo/Si多層膜的缺陷而產生的極紫外線曝光的照射光的反射率的局部下降，并能夠適當地進行缺陷修正。另外，根據本專利技術的技術方案的極紫外線曝光用掩膜，通過具有反射率增加部，能夠局部提高缺陷位置的反射率，從而能夠抑制在描畫的晶片上因Mo/Si多層膜的缺陷而產生曝光圖像及抑制曝光圖像的程度?！緦＠綀D】【附圖說明】圖1是示意性地表示具有缺陷的極紫外線曝光用掩膜的一個例子的剖視圖。圖2是示意性地表示通過上述極紫外線曝光用掩膜的曝光來進行轉印的晶片的形狀的剖視圖。圖3是表示缺損區域與形成反射率增加部的區域之間的關系的圖。圖4是表示反射率增加部的孔的配置例的圖，是表示利用修正之后的上述極紫外線曝光用掩膜產生的反射圖像的圖。圖5是示意性地表示形成有反射率增加部的本專利技術的一個實施方式的極紫外線曝光用掩膜的剖視圖。圖6是示意性地表示通過上述極紫外線曝光用掩膜的曝光來進行轉印的晶片的形狀的剖視圖?！揪唧w實施方式】針對本專利技術的一個實施方式，參照圖1?圖6進行說明。圖1是表示具有缺陷的極紫外線曝光用掩膜的一個例子的示意圖。該極紫外線曝光用掩膜I具有:Mo/Si多層膜20，其形成在由例如石英等構成的透明基板10上；保護膜30，其形成在Mo/Si多層膜20的上表面；吸收膜40，其形成在保護膜30上。將鑰及硅的單層膜作為一對，例如以7納米(nm)左右的膜厚層疊多對鑰及硅的單層膜，由此形成Mo/Si多層膜20。由于圖1為示意圖，所以示出了五對鑰層21和硅層22，但實際上，層疊例如40?50對左右的更多對的鑰層和娃層。保護膜30由例本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馬修·約瑟夫·拉曼提亞，
申請(專利權)人：凸版印刷株式會社，
類型：
國別省市：
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