由同型MOS晶體管與MOS電容器構成的像素單元電路制造技術

一種由同型MOS晶體管與MOS電容器構成的像素單元電路，屬于硅基液晶顯示器芯片像素單元電路領域。該電路由同型的1個NMOS晶體管（19）和1個NMOS電容器（26）或由同型的1個PMOS晶體管（8）和一個PMOS電容器（13）組成，其中，同型的晶體管和電容器形成電學串聯，且電容器的源極和電容器的漏極懸空，在實際器件結構中不設置。由同型MOS晶體管與MOS電容器組成像素單元電路，做到完全與常規CMOS半導體芯片生產工序相匹配，且在實際器件結構中無論NMOS電容器還是PMOS電容器均不設置相應的源極和漏極，從而達到減小電容器面積的效果。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種由同型MOS晶體管與MOS電容器構成的像素單元電路，其特征在于該電路由同型的1個NMOS晶體管（19）和1個NMOS電容器（26）或由同型的1個PMOS晶體管（8）和一個PMOS電容器（13）組成，其中，同型的晶體管和電容器形成電學串聯，且電容器的源極和電容器的漏極懸空，在實際器件結構中不設置。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：代永平，李明，劉宇佳，劉彐嬌，史景祎，趙瑜，劉艷艷，
申請(專利權)人：南開大學，
類型：實用新型
國別省市：