一種量子點(diǎn)敏化硅基太陽(yáng)電池制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種量子點(diǎn)敏化硅基太陽(yáng)電池，從下至上依次包括：金屬鋁背電極、P型晶硅層、N型晶硅層、半導(dǎo)體量子點(diǎn)敏化層、絨面結(jié)構(gòu)層和減反射涂層，其中，P型晶硅層與N型晶硅層之間形成PN結(jié)，絨面結(jié)構(gòu)層上設(shè)置有梳狀電極。本實(shí)用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，具有良好的可操作性，而且成本較低，適用于商業(yè)化生產(chǎn)。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種量子點(diǎn)敏化硅基太陽(yáng)電池，其特征在于，從下至上依次包括：金屬鋁背電極、P型晶硅層、N型晶硅層、半導(dǎo)體量子點(diǎn)敏化層、絨面結(jié)構(gòu)層和減反射涂層，其中，P型晶硅層與N型晶硅層之間形成PN結(jié)，絨面結(jié)構(gòu)層上設(shè)置有梳狀電極。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：薛黎明，周洪全，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：北京桑納斯太陽(yáng)能電池有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：