一種制造ESD器件的方法、ESD器件和顯示面板技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種制造ESD器件的方法、ESD器件和顯示面板，能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。該方法包括在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與所述薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)公開了一種制造ESD器件的方法、ESD器件和顯示面板，能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。該方法包括在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與所述薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通。【專利說明】—種制造ESD器件的方法、ESD器件和顯示面板
本專利技術(shù)涉及顯示
，特別是涉及一種制造防靜電擊穿ESD (ESD，ElectroStatic Discharge)器件的方法、ESD器件和顯示面板。
技術(shù)介紹
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD，Thin Film TransistorLiquid Crystal Display)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。有機發(fā)光二極管(OLED, Organic Light-EmittingDiode)，其顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光，因此具備輕薄、省電等特性。在所述平板顯示裝置的制作過程中，靜電擊穿現(xiàn)象經(jīng)常發(fā)生。靜電擊穿會導(dǎo)致顯示裝置中的陣列基板上的像素電路異常，嚴(yán)重時會導(dǎo)致陣列基板上的像素電路短路，陣列基板無法正常工作。因此需要在陣列基板上形成防靜電器件以及時釋放靜電，防止陣列基板發(fā)生靜電損傷。一般地，通過一個或者若干個起開關(guān)作用的薄膜晶體管TFT和引線組成防靜電器件，防靜電器件中的不同引線分別作為靜電的輸入端和輸出端，將靜電從輸入端經(jīng)過TFT導(dǎo)出到輸出端，或者靜電在引線上逐漸衰減，達(dá)到釋放靜電的目的。但是在制作防靜電器件的TFT和引線的過程中，不可避免地存在靜電，由于此時ESD器件還未形成，因此不能夠起到釋放靜電的作用，玻璃基板上積聚的靜電電荷會擊穿陣列基板中較薄弱的部分，因此積聚的靜電電荷會在防靜電器件形成之前將該防靜電器件擊穿，導(dǎo)致防靜電器件損傷，不能夠起到釋放靜電的作用。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實施例提供了一種制造防靜電擊穿ESD器件的方法、陣列基板和顯示面板，能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。一種制造防靜電擊穿ESD器件的方法，包括:在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與所述薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上依次形成柵極、有源層，源極和漏極，以及與所述柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或通過構(gòu)圖工藝在基板上依次形成柵極、有源層，源極和漏極，以及與所述柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上刻蝕出用于連接兩段引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通。—種通過上述方法制作的ESD器件，包括形成在基板上的薄膜晶體管TFT，其中:所述TFT的源極和柵極與第一引線相連，且所述第一引線包含至少兩段斷開的引線段；或所述TFT的柵極和漏極與第二引線相連，且所述第二引線包含至少兩段斷開的引線段；其中所述至少兩段斷開的引線段之間通過透明導(dǎo)電膜層電性相連。一種顯不面板,包括上述的ESD器件。采用上述技術(shù)方案，在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上依次形成薄膜晶體管，以及與薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通。這樣，在ESD器件形成之前，TFT基板上積聚的靜電就不會損傷到未成形的ESD器件，而當(dāng)透明導(dǎo)電膜層通過過孔沉積之后，將引線段導(dǎo)通，ESD器件又可以發(fā)揮其釋放靜電的作用，并且在TFT基板的制作過程中ESD器件中的透明導(dǎo)電膜層與本專利技術(shù)中的透明導(dǎo)電膜層在同一時間形成，這樣在透明導(dǎo)電膜形成之前，陣列基板上聚集的靜電電荷都不會接觸到ESD器件，而透明導(dǎo)電膜形成后ESD器件已經(jīng)可以發(fā)揮釋放靜電的作用，從而能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本專利技術(shù)實施例中，提出的制造陣列基板的方法流程圖；圖2為本專利技術(shù)實施例中，提出的通過構(gòu)圖工藝形成陣列基板的剖面示意圖；圖3為本專利技術(shù)實施例中，提出的形成的防靜電器件的俯視圖；圖4為本專利技術(shù)實施例中，提出的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖5為本專利技術(shù)實施例中，提出的ESD器件結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖6為本專利技術(shù)實施例中，提出的ESD器件中第一引線結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖7為本專利技術(shù)實施例中，提出的形成TFT結(jié)構(gòu)組成示意圖。【具體實施方式】針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的玻璃基板上積聚的靜電電荷會擊穿陣列基板中較薄弱的部分，因此積聚的靜電電荷會在防靜電器件形成之前將該防靜電器件擊穿，導(dǎo)致防靜電器件損傷，不能夠起到釋放靜電的作用的問題，本專利技術(shù)實施例這里提出的技術(shù)方案中，在未形成ESD器件之前，將ESD器件的引線斷開，最后在沉積鈍化層薄膜之后，通過沉積的透明導(dǎo)電膜層將斷開的引線電性相連。這樣，在ESD器件形成之前，TFT基板上積聚的靜電就不會損傷到未成形的ESD器件，而當(dāng)透明導(dǎo)電膜層形成之后，ESD器件又可以發(fā)揮其釋放靜電的作用，并且ESD器件中導(dǎo)通引線段的透明導(dǎo)電膜層與制作陣列基板時需要的透明導(dǎo)電膜層在同時形成，這樣在時間上可以避免靜電電荷對EDS器件的損傷，提高陣列基板的良品率。下面將結(jié)合各個附圖對本專利技術(shù)實施例技術(shù)方案的主要實現(xiàn)原理、【具體實施方式】及其對應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進行詳細(xì)地闡述。本專利技術(shù)實施例提出一種制造陣列基板的方法，如圖1所示，其具體處理流程如下述:步驟11，在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，或者是與薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線。在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管時，依次形成薄膜晶體管的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，以及與柵極和源極連接的第一引線，或者是與柵極和漏極連接的第二引線。其中，在E本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種制造防靜電擊穿ESD器件的方法，其特征在于，包括：在ESD器件的制造過程中，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與所述薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層通過過孔將所述引線段之間導(dǎo)通。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡振飛，郝昭慧，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：