本發明專利技術提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,屬于有機電致發光顯示技術領域,其可解決現有的陣列基板的出光率低的問題。本發明專利技術的陣列基板,包括有機電致發光器件,所述有機電致發光器件包括:第一電極層、第二電極層、以及設置在第一電極層和第二電極層之間的發光層,所述第一電極層為透明電極層,其設置在摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層上。
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,屬于有機電致發光顯示
,其可解決現有的陣列基板的出光率低的問題。本專利技術的陣列基板,包括有機電致發光器件,所述有機電致發光器件包括:第一電極層、第二電極層、以及設置在第一電極層和第二電極層之間的發光層,所述第一電極層為透明電極層,其設置在摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層上。【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
本專利技術屬于有機電致發光顯示
,具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
技術介紹
有機電致發光器件(OLED)的基本結構包括:陽極層、陰極層、以及夾在陽極層和陰極層之間的“發光層”,其中,發光層為一層或多層有機層。在外加電壓作用下,電子和空穴分別從陰極方向和陽極方向注入到有機層中,然后遷移并在“發光層”中相遇復合產生激子,激子的能量以光的形式衰減,即輻射出光。有機電致發光器件按照出光方式可以分為頂發射型(Top emission)和底發射型(Bottom emission)。其中,光從薄膜晶體管(TFT)和平坦化層(也即第一電極層)一側出射的為底發射型,其第一電極層應是透明的(如ITO即銦錫氧化物)電極;對于頂發射型,位于平坦化層之上的第一電極層是非透明的反射電極(例如銀、鋁等反射性材料),而第二電極層為透明材料,即出光方向。相對于頂發射的有機電致發光器件,底發射型的有機電致發光器件受限于TFT的影響一般具有較小的開口率,而為了達到具備使用價值的發光亮度,雖然可以通過提高電壓等方式來提高有機電致發光器件的亮度,但是這往往對器件和材料的壽命造成負面影響。因此對于底發射型的有機電致發光器件的制備,其材料的壽命和發光效率等性能指標的要求就會更高。在有機電致發光器件的發光過程中能量的損耗主要存在兩個方面:第一方面是注入載流子在發光層中耦合發光時,并不是所有的注入能量都轉變為光子,一部分激子能量經過晶格振動、深能級雜質躍遷等非輻射躍遷過程被損耗掉,可以用內量子效率描述這個過程。第二方面是發生在有機電致發光器件的陽極層與基底、基底與空氣等界面全反射,發生在有機電致發光器件的陽極層與發光層界面的波導模式以及金屬電極附近的表面等離子損失等,導致從發光層發出的光在經歷上述多層結構之后,僅有大約20%左右能透出器件進入到空氣中被我們看到。這個過程可以用外量子效率來描述,體現的是光從器件中被提取出來的效率,即光提取效率或出光效率。其中,通過材料的性能改善,目前內量子效率接近100%的器件理論上可以實現,但是材料種類非常有限;而通過在ITO電極上制造表面微結構來減少波導模式損失,通過將光子晶體或微透鏡陣列貼敷到玻璃基底上減少全內反射,制造褶皺的陰極以降低其表面等離子損失以及利用光學微腔結構等等,這些技術雖然可以大幅度增加器件的出光效率,但是光子晶體以及在陰極上形成周期性或準周期性微結構圖形等方法,其往往采用納米影印技術,制備工藝和難度較大。而微腔效應卻容易造成發光顏色的偏離和可視角度變窄等缺點。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題包括,針對現有的有機電致發光器件存在的上述不足,提供一種可以提高有機電致發光器件出光效率的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。解決本專利技術技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板,包括有機電致發光器件,所述有機電致發光器件包括:第一電極層、第二電極層、以及設置在第一電極層和第二電極層之間的發光層,所述第一電極層為透明電極層,其設置在摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層上。本專利技術的陣列基板的平坦化層中摻雜有金屬微納米顆粒,故其增強有機電致發光器件的發光效率,進而提高陣列基板的出光率。優選的是,所述金屬微納米顆粒材料為金、銀、鋁中任意一種,或金、銀、鋁中任意組合。優選的是,所述金屬微納米顆粒的形態為球狀、棱柱狀、立方體狀、籠狀、核-殼結構中任意一種。優選的是,所述金屬微納米顆粒的粒徑在Inm-1OOnm之間。優選的是,所述金屬微納米顆粒在平坦化層中的質量濃度大于等于1%小于等于5%。優選的是,所述第一電極層為陽極層,其材料為氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鎵鋅中任意一種。進一步優選的是,上述陣列基板還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的漏極通過貫穿其上方平坦化層的接觸過孔與有機電致發光器件的第一電極層連接。優選的是,所述第二電極層為反射層。解決本專利技術技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置,其包括上述陣列基板。由于本專利技術的顯示裝置包括上述陣列基板,故其發光效率明顯提高。解決本專利技術技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制備方法,包括如下步驟:在形成有薄膜晶體管的基底上形成摻雜有金屬微納米顆粒的平坦化層;在平坦化層上方,通過構圖工藝形成包括有機電致發光器件第一電極層的圖形,所述第一電極層為透明電極層。本專利技術陣列基板制備方法中將平坦化層中摻雜金屬微納米顆粒,使得設于平坦化層上方的有機電致發光器件的出光效率大大提聞,進而提聞陣列基板的出光效率。優選的是,所述形成摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層包括:在形成有薄膜晶體管的基底上形成第一平坦化層;在第一平坦化層上形成包括非連續金屬納米顆粒的金屬納米顆粒層;在金屬納米顆粒層上,形成第二平坦化層,得到摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本專利技術的實施例1金屬微納米顆粒的表面等離子體共振的示意圖;圖2為本專利技術的實施例1的金屬微納米顆粒對光散射和吸收的示意圖;圖3為本專利技術的實施例1的陣列基板的結構圖;圖4為專利技術的實施例1的摻雜有金屬微納米顆粒的陣列基板中有機電致發光器件的發光率與現有的陣列基板中的有機電致發光器件的發光率的比較圖;圖5為本專利技術的實施例2的陣列基板的結構圖。其中附圖標記為:101、基底;102、薄膜晶體管;103、平坦化層;1031、第一平坦化層;1032、第二平坦化層;104、第一電極層;105、像素界定層;106、發光層;107、第二電極層;q、金屬微納米顆粒;S1、現有的陣列基板中有機電致發光器件的發光效率曲線;S2、本專利技術陣列基板中有機電致發光器件的發光效率曲線。【具體實施方式】為使本領域技術人員更好地理解本專利技術的技術方案,下面結合附圖和【具體實施方式】對本專利技術作進一步詳細描述。實施例1:結合圖3,本實施例提供一種陣列基板,其包括有機電致發光器件,有機電致發光器件包括:第一電極層104、第二電極層107,以及設置在第一電極層104和第二電極層107之間的發光層106,其中,第一電極層104為透明電極層,其設置在摻雜金屬微納米顆粒q的平坦化層103上。本實施例的陣列基板的有機電致發光器件的透明電極層下方的平坦化層103中摻雜有金屬微納米顆粒q,利用金屬微納米顆粒q的表面等離子體共振效應來增強有機電致發光器件的發光效率,從而增強陣列基板的出光率。需要說明的是,表面等離子體(surface plasmons ;SPs)是指在金屬表面存在的自由振動的電子與光子相互作用產生的沿著金屬表面傳播的電子疏密波,電子疏密波是一種電磁表面波,可以將光波橫向限制在亞波長的尺度范圍內,并且在接近其諧振頻率附近,其色散曲線平坦、光子態密度大,與有源介質相互作用時可以增強表面等離子體自發輻射。表面等離子體在金屬薄膜的表面處場強最大,在垂直于界面方向是指數衰減場,其能夠被電子本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種陣列基板,包括有機電致發光器件,所述有機電致發光器件包括:第一電極層、第二電極層、以及設置在第一電極層和第二電極層之間的發光層,其特征在于,所述第一電極層為透明電極層,其設置在摻雜金屬微納米顆粒的平坦化層上。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:代青,劉則,
申請(專利權)人:京東方科技集團股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
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