一種底部帶引晶功能的多晶硅鑄錠用石英坩堝制造技術

本實用新型專利技術公開了一種底部帶引晶功能的多晶硅鑄錠用石英坩堝，石英坩堝的底部設有均勻緊密排列的具有引晶功能的凹坑或者凹痕，凹坑口徑或凹痕寬度為1-4.9mm，凹坑或凹痕深度為0.5-5.9mm，凹坑或凹痕間距為0.5-6.9mm。本實用新型專利技術的凹坑由于具有合理的徑深比及合理的間距，在坩堝底部為晶體硅生長提供排列致密且均勻分布的過冷點或過冷條帶，該過冷點或過冷條帶由凹坑或凹痕的尺寸比例決定，與凹坑或凹痕的開口形狀及內部形狀無關，該過冷點或過冷條帶可促使晶體硅在生長初期形成分布均勻的晶核，在此晶核基礎上生長出晶粒均勻，缺陷密度低的晶體硅，從而達到無需添加硅質籽晶即可提高晶體硅太陽能電池的性能的目的，同時相比添加硅質籽晶的鑄錠技術，生產得率提高3%以上。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種底部帶引晶功能的多晶硅鑄錠用石英坩堝，包括常規的石英坩堝，其特征在于：所述的石英坩堝的底部設有均勻緊密排列的具有引晶功能的凹部。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃新明，尹長浩，周緒成，鐘根香，周海萍，
申請(專利權)人：晶海洋半導體材料東海有限公司，東海晶澳太陽能科技有限公司，南京工業大學，
類型：實用新型
國別省市：