本發明專利技術公開了電路芯片領域內的一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片，本征半導體硅片表面通過硼離子注入，擴散形成N型收集區，所述N型收集區的表面經磷離子注入，擴散形成P型基區，所述P型基區表面經硼離子注入形成N型發射區，本發明專利技術具有良好的高頻特性，結構簡單，成本低廉，可用于高速衛星導航、無線微波傳輸中。
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了電路芯片領域內的一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片，本征半導體硅片表面通過硼離子注入，擴散形成N型收集區，所述N型收集區的表面經磷離子注入，擴散形成P型基區，所述P型基區表面經硼離子注入形成N型發射區，本專利技術具有良好的高頻特性，結構簡單，成本低廉，可用于高速衛星導航、無線微波傳輸中?！緦＠f明】—種超局頻晶體管芯片
本專利技術涉及一種電路芯片，特別涉及一種晶體管芯片。
技術介紹
國內半導體市場和產業繼續了近幾年的快速增長態勢。伴隨數字化信息產業的高 速發展，對半導體器件小型化、功率化、高頻化的需求日益加強，特別是在高速衛星導航、無 線微波傳輸領域，對功放晶體管的頻率要求高達25GHz，國家信息產業部對于貼片式高頻器 件的研發給予了高度的重視，近幾年都被列入國家、省市高新技術研究、科技攻關等項目指 南。由于項目產品的應用范圍廣，國內很多大學、科研機構及生產企業都進行過這方面的研 究，但始終不能形成成熟產品批量供應市場，高頻晶體管芯片的特征頻率&為3.2GHz，其不 足之處在于:國內無此產品批量供貨，全部依賴進口。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對現有技術中超高頻晶體管芯片全部依賴進口，成本較高，提 供一種超高頻晶體管芯片，使得其高頻特性好，結構簡單，成本低廉。本專利技術的目的是這樣實現的:一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片， 所述本征半導體硅片表面通過硼離子注入，擴散形成N型收集區，所述N型收集區的表面經 磷離子注入，擴散形成P型基區，所述P型基區表面經硼離子注入形成N型發射區。作為本專利技術的改進，所述P型基區設置有三塊。作為本專利技術的改進，每一所述P型基區內均設置有三個條形N型發射區。作為本專利技術的改進，所述N型收集區為硼離子垂直注入形成。作為本專利技術的改進，所述P型基區為磷離子注入方向與水平方向呈60°注入形 成。作為本專利技術的改進，所述N型發射區為硼離子注入方向與水平方向呈30°注入形 成。作為本專利技術的改進，所述芯片的表面分別從N型收集區引出集電極C、從P型基區 引出基極B、從N型發射區引出發射極E。本專利技術中，通過使用本征半導體作為襯底，在襯底上方擴散形成N型收集區，在N 型收集區上方擴散形成的P型基區以及在P型基區上方擴散形成的N型發射區，所述的P 型基區設置成多個獨立的條形基區，在各個獨立基區上方擴散形成的多個N型發射區，分 別在表面引出的發射極、基極和集電極，與現有技術相比，本專利技術的有益效果在于，本專利技術 具有良好的高頻特性，結構簡單，成本低廉。本專利技術可用于高速衛星導航、無線微波傳輸中?！緦＠綀D】【附圖說明】圖1為本專利技術結構示意圖。圖2為本專利技術表面電極結構示意圖。其中，IN型收集區，2P型基區，3N型發射區，4本征半導體硅片?！揪唧w實施方式】如圖1-2所示的一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片4，本征半導體 硅片4表面經硼離子注入，擴散形成N型收集區1，N型收集區I的表面經磷離子注入，擴 散形成三塊P型基區2，每一 P型基區2表面均經硼離子注入形成三個條形N型發射區3， N型收集區I為硼離子垂直注入形成，P型基區2為磷離子注入方向與水平方向呈60°注 入形成，N型發射區3為硼離子注入方向與水平方向呈30°注入形成，芯片的表面分別從N 型收集區I引出集電極C、從P型基區2引出基極B、從N型發射區3引出發射極E。本專利技術并不局限于上述實施例，在本專利技術公開的技術方案的基礎上，本領域的技 術人員根據所公開的
技術實現思路
，不需要創造性的勞動就可以對其中的一些技術特征作出一 些替換和變形，這些替換和變形均在本專利技術的保護范圍內?！緳嗬蟆?.一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片，其特征在于，所述本征半導體 硅片表面通過硼離子注入，擴散形成N型收集區，所述N型收集區的表面經磷離子注入，擴 散形成P型基區，所述P型基區表面經硼離子注入形成N型發射區。2.根據權利要求1所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，所述P型基區設置有三塊。3.根據權利要求2所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，每一所述P型基區內 均設置有三個條形N型發射區。4.根據權利要求1-3中任一項所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，所述N型 收集區為硼離子垂直注入形成。5.根據權利要求1-3中任一項所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，所述P型 基區為磷離子注入方向與水平方向呈60°注入形成。6.根據權利要求1-3中任一項所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，所述N型 發射區為硼離子注入方向與水平方向呈30°注入形成。7.根據權利要求1-3中任一項所述的一種超高頻晶體管芯片，其特征在于，所述芯片 的表面分別從N型收集區引出集電極C、從P型基區引出基極B、從N型發射區引出發射極 E0【文檔編號】H01L29/73GK103456776SQ201210182106【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年6月5日 優先權日:2012年6月5日 【專利技術者】高潮, 黃素娟 申請人:揚州江新電子有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種超高頻晶體管芯片，包括一塊本征半導體硅片，其特征在于，所述本征半導體硅片表面通過硼離子注入，擴散形成N型收集區，所述N型收集區的表面經磷離子注入，擴散形成P型基區，所述P型基區表面經硼離子注入形成N型發射區。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：高潮，黃素娟，
申請(專利權)人：揚州江新電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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