帶預加重的集成光通信激光驅動器制造技術

本發明專利技術公開了一種帶預加重的集成光通信激光驅動器，涉及通信領域的集成電路設計，該激光驅動器包括調制數據信號輸入端、第一延時驅動單元、調制電流驅動單元、第二延時驅動單元、預加重驅動單元和激光器組件，第一延時驅動單元、第二延時驅動單元的輸入端均與調制數據信號輸入端相連；第一延時驅動單元的輸出端與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口相連，第二延時驅動單元的輸出端與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口相連；調制電流驅動單元與預加重驅動單元相連，調制電流驅動單元、預加重驅動單元均與激光器組件相連。本發明專利技術能實現激光驅動器的電流預加重輸出、輸出調制電流的大小可調，還能控制預加重的深度。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種帶預加重的集成光通信激光驅動器，涉及通信領域的集成電路設計，該激光驅動器包括調制數據信號輸入端、第一延時驅動單元、調制電流驅動單元、第二延時驅動單元、預加重驅動單元和激光器組件，第一延時驅動單元、第二延時驅動單元的輸入端均與調制數據信號輸入端相連；第一延時驅動單元的輸出端與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口相連，第二延時驅動單元的輸出端與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口相連；調制電流驅動單元與預加重驅動單元相連，調制電流驅動單元、預加重驅動單元均與激光器組件相連。本專利技術能實現激光驅動器的電流預加重輸出、輸出調制電流的大小可調，還能控制預加重的深度。【專利說明】帶預加重的集成光通信激光驅動器
本專利技術涉及通信領域的集成電路設計，特別是涉及一種帶預加重的集成光通信激光驅動器。
技術介紹
激光驅動器是光通信模塊中的關鍵器件，用于為發光器件提供驅動電流。通常情況下，激光驅動器對于調制電流驅動的輸出波形同步反映輸入調制信號的變化情況。然而，在高速信號調制的時候，由于調制電流輸出信號走線延時以及發光器件本身的寄生電容的影響，可能會導致輸出光眼圖的劣化，在信號的傳輸過程中，由于高頻的衰減，會導致信號完整性的損失。為了解決這個問題，通常可以在信號發送之前對信號做預加重處理，預先提升信號的高頻分量，以補償信號在傳輸過程中高頻分量的衰減。因此，亟需設計出帶預加重功能的激光驅動器。
技術實現思路
本專利技術的目的是為了克服上述
技術介紹
的不足，提供一種帶預加重的集成光通信激光驅動器，不僅能夠實現激光驅動器的電流預加重輸出、輸出調制電流的大小可調，而且還能控制預加重的深度。本專利技術提供一種帶預加重的集成光通信激光驅動器，它包括電源VDD、調制數據信號輸入端Dat、第一延時驅動單元、調制電流驅動單元和激光器組件，調制電流驅動單元包括調制驅動信號輸入端口 IN1、調制電流控制端口 Imodctrl和調制電流輸出端口 Imodout,第一延時驅動單元的輸入端與調制數據信號輸入端Dat相連，第一延時驅動單元的輸出端與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口 INl相連，調制電流驅動單元與激光器組件相連，它還包括第二延時驅動單元和預加重驅動單元，預加重驅動單元包括預加重驅動信號輸入端口 IN2、預加重深度控制端口 Ipectrl和預加重輸出端口 Ipeout,第二延時驅動單元的輸入端與調制數據信號輸入端Dat相連，第二延時驅動單元的輸出端與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口 IN2相連，調制電流驅動單元與預加重驅動單元相連，預加重驅動單元與激光器組件相連，其中:所述第一延時驅動單元由若干個反相器串聯組成，用于實現調制信號的延時、放大和驅動，提聞調制/[目號的驅動能力；所述第二延時驅動單元也由若干個反相器串聯組成，用于對調制信號進行延時、放大和驅動，再轉換成預加重信號；所述調制電流驅動單元，用于:將延時和放大后的調制電流信號轉換成調制電流，將調制電流輸出給激光器組件，并通過調制電流控制端口 Imodctrl控制輸出調制電流的強度；所述預加重驅動單元，用于:將預加重信號轉換成預加重電流輸出，并通過預加重深度控制端口 Ipectrl控制預加重電流的強度，從而控制預加重的深度；所述調制電流驅動單元包括第一 NMOS晶體管Ml、第二 NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4，第一 NMOS晶體管Ml的柵極與漏極相連，第一 NMOS晶體管Ml的漏極還分別與第三NMOS晶體管M3的柵極、調制電流驅動單元的調制電流控制端口Imodctrl相連；第一 NMOS晶體管Ml的源極與第二 NMOS晶體管M2的漏極相連，第二 NMOS晶體管M2的柵極接電源VDD，第二 NMOS晶體管M2的源極接地；第三NMOS晶體管M3的漏極與調制電流驅動單元的調制電流輸出端口 Imodout相連；第三NMOS晶體管M3的源極第四NMOS晶體管M4的漏極，第四NMOS晶體管M4的柵極與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口 INl相連，第四NMOS晶體管M4的源極接地；所述預加重驅動單元包括第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一 PMOS晶體管Ml1、第二 PMOS晶體管M12，第五NMOS晶體管M5的柵極與漏極相連，第五NMOS晶體管M5的漏極還分別與第七NMOS晶體管M7的柵極、第九NMOS晶體管M9的柵極、預加重驅動單元的預加重深度控制端口 Ipectrl相連?’第五NMOS晶體管M5的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連，第七NMOS晶體管M7的源極與第八NMOS晶體管M8的漏極相連，第九NMOS晶體管M9的源極與第十NMOS晶體管MlO的漏極相連，第六NMOS晶體管M6的柵極和第八NMOS晶體管M8的柵極均接電源VDD，第十NMOS晶體管MlO的柵極與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口 IN2相連；第六NMOS晶體管M6的源極、第八NMOS晶體管M8的源極和第十NMOS晶體管MlO的源極均接地；第七NMOS晶體管M7的漏極與第一 PMOS晶體管Mll的漏極相連，第一 PMOS晶體管Mll的漏極分別與第一 PMOS晶體管Mll的源極、第二 PMOS晶體管M12的柵極相連；第一 PMOS晶體管Mll的源極和第二 PMOS晶體管M12的源極均接電源VDD ;第二 PMOS晶體管M12的漏極與第九NMOS晶體管M9的漏極相連，并同時與預加重驅動單元的預加重輸出端口 Ipeout相連。在上述技術方案的基礎上，所述調制電流驅動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3為調制電流輸出電流鏡的鏡像管，將輸入調制電流信號放大若干倍;第二NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4為MOS開關，配合第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3輸出調制電流。在上述技術方案的基礎上，所述調制電流驅動單元中第二 NMOS晶體管M2設置為常開，第四NMOS晶體管M4由第一延時驅動單元來控制，從第三NMOS晶體管M3的漏極輸出調制電流號。在上述技術方案的基礎上，所述調制電流驅動單元中第一 NMOS晶體管Ml和第三NMOS晶體管M3的鏡像比以及第二 NMOS晶體管M2和第四NMOS晶體管M4的鏡像比滿足以下關系:M1:M3=M2:M4=1:N, N為正整數。在上述技術方案的基礎上，所述預加重驅動單元中第五NMOS晶體管M5、第七NMOS晶體管M7、第九NMOS晶體管M9、第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12均為預加重電流輸出電流鏡的鏡像管，第六NMOS晶體管M6、第八NMOS晶體管M8和第十NMOS晶體管MlO為MOS開關。在上述技術方案的基礎上，所述第六NMOS晶體管M6和第八NMOS晶體管M8設置為常開，第十NMOS晶體管MlO由第二延時驅動單元來控制。在上述技術方案的基礎上，所述第七NMOS晶體管M7和第八NMOS晶體管M8將輸入電流一比一鏡像后，通過第一 PMOS晶體管Mll和第二 PMOS晶體管M12放大電流，在第二PMOS晶體管M12的漏極產生一個直流電流，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種帶預加重的集成光通信激光驅動器，它包括電源VDD、調制數據信號輸入端Dat、第一延時驅動單元、調制電流驅動單元和激光器組件，調制電流驅動單元包括調制驅動信號輸入端口IN1、調制電流控制端口Imodctrl和調制電流輸出端口Imodout，第一延時驅動單元的輸入端與調制數據信號輸入端Dat相連，第一延時驅動單元的輸出端與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口IN1相連，調制電流驅動單元與激光器組件相連，其特征在于：它還包括第二延時驅動單元和預加重驅動單元，預加重驅動單元包括預加重驅動信號輸入端口IN2、預加重深度控制端口Ipectrl和預加重輸出端口Ipeout，第二延時驅動單元的輸入端與調制數據信號輸入端Dat相連，第二延時驅動單元的輸出端與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口IN2相連，調制電流驅動單元與預加重驅動單元相連，預加重驅動單元與激光器組件相連，其中：所述第一延時驅動單元由若干個反相器串聯組成，用于實現調制信號的延時、放大和驅動，提高調制信號的驅動能力；所述第二延時驅動單元也由若干個反相器串聯組成，用于對調制信號進行延時、放大和驅動，再轉換成預加重信號；所述調制電流驅動單元，用于：將延時和放大后的調制電流信號轉換成調制電流，將調制電流輸出給激光器組件，并通過調制電流控制端口Imodctrl控制輸出調制電流的強度；所述預加重驅動單元，用于：將預加重信號轉換成預加重電流輸出，并通過預加重深度控制端口Ipectrl控制預加重電流的強度，從而控制預加重的深度；所述調制電流驅動單元包括第一NMOS晶體管M1、第二NMOS 晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4，第一NMOS晶體管M1的柵極與漏極相連，第一NMOS晶體管M1的漏極還分別與第三NMOS晶體管M3的柵極、調制電流驅動單元的調制電流控制端口Imodctrl相連；第一NMOS晶體管M1的源極與第二NMOS晶體管M2的漏極相連，第二NMOS晶體管M2的柵極接電源VDD，第二NMOS晶體管M2的源極接地；第三NMOS晶體管M3的漏極與調制電流驅動單元的調制電流輸出端口Imodout相連；第三NMOS晶體管M3的源極第四NMOS晶體管M4的漏極，第四NMOS晶體管M4的柵極與調制電流驅動單元的調制驅動信號輸入端口IN1相連，第四NMOS晶體管M4的源極接地；所述預加重驅動單元包括第五NMOS晶體管M5、第六NMOS晶體管M6、第七NMOS晶體管M7、第八NMOS晶體管M8、第九NMOS晶體管M9、第十NMOS晶體管M10、第一PMOS晶體管M11、第二PMOS晶體管M12，第五NMOS晶體管M5的柵極與漏極相連，第五NMOS晶體管M5的漏極還分別與第七NMOS晶體管M7的柵極、第九NMOS晶體管M9的柵極、預加重驅動單元的預加重深度控制端口Ipectrl相連；第五NMOS晶體管M5的源極與第六NMOS晶體管M6的漏極相連，第七NMOS晶體管M7的源極與第八NMOS晶體管M8的漏極相連，第九NMOS晶體管M9的源極與第十NMOS晶體管M10的漏極相連，第六NMOS晶體管M6的柵極和第八NMOS晶體管M8的柵極均接電源VDD，第十NMOS晶體管M10的柵極與預加重驅動單元的預加重驅動信號輸入端口IN2相連；第六NMOS晶體管M6的源極、第八NMOS晶體管M8的源極和第十NMOS晶體管M10的源極均接地；第七NMOS晶體管M7的漏極與第一PMOS晶體管M11的漏極相連，第一PMOS晶體管M11的漏 極分別與第一PMOS晶體管M11的源極、第二PMOS晶體管M12的柵極相連；第一PMOS晶體管M11的源極和第二PMOS晶體管M12的源極均接電源VDD；第二PMOS晶體管M12的漏極與第九NMOS晶體管M9的漏極相連，并同時與預加重驅動單元的預加重輸出端口Ipeout相連。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：蔣湘，
申請(專利權)人：烽火通信科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：