【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種失調補償有源負載，其特征在于，所述失調補償有源負載包括：?第一晶體管，其具有控制電極及第一載流電極和第二載流電極；?第二晶體管，其具有控制電極及第一載流電極和第二載流電極，所述第一晶體管的所述第一載流電極被耦合至所述第二晶體管的所述第一載流電極；?多個電荷存儲元件，其被耦合在所述第一晶體管的所述控制電極與所述第二晶體管的所述控制電極之間；?第一耦合裝置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合來接收第一控制信號，所述第一端子被耦合至所述第一晶體管的所述控制電極，而所述第二端子被耦合至所述第一晶體管的所述第二載流電極；以及?第二耦合裝置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合來接收第二控制信號，所述第一端子被耦合至所述第二晶體管的所述控制電極，而所述第二端子被耦合至所述第二晶體管的所述第二載流電極。
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：M·H·萊特，
申請(專利權)人：半導體元件工業有限責任公司，
類型：實用新型
國別省市：
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