太陽能單晶硅片清洗液及清洗方法技術

本發明專利技術涉及一種太陽能單晶硅片清洗液，其包括1%～5%質量百分比的30%的過氧化氫溶液、0.05%～0.30%質量百分比的氫氧化鉀以及94.95%～98.95%質量百分比的純水。該太陽能單晶硅片清洗液，利用過氧化氫的強氧化性及OH-對氧化膜的腐蝕作用，可以有效去除硅片表面的有機物、氧化膜及沉積在氧化膜中的污染物等臟污，提高硅片表面的潔凈度，防止植絨時出現白斑，產生色差現象。此外，本發明專利技術還涉及一種太陽能單晶硅片的清洗方法。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種太陽能單晶硅片清洗液，其特征在于，包括如下質量百分比的各組分：質量分數為30%的過氧化氫溶液?????1.00%～5.00%；氫氧化鉀????????????????????????0.05%～0.30%；以及純水????????????????????????????94.95%～98.95%。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：薛曉敏，孫翠枝，
申請(專利權)人：蘇州協鑫光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：