短柱硅鋼片及采用其的鐵芯制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種短柱硅鋼片，包括構(gòu)成日字形的兩個邊柱、中柱以及兩個連接片，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接片分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，使得所述的中柱的端部與所述的連接片之間形成氣隙。一種采用上述的短柱硅鋼片構(gòu)成的鐵芯，所述的鐵芯由若干所述的短柱硅鋼片疊設而成。本發(fā)明專利技術(shù)的短柱硅鋼片和鐵芯在中柱和連接片之間形成氣隙，可以提高其磁阻以及降低漏磁和電磁干擾。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)涉及一種短柱硅鋼片，包括構(gòu)成日字形的兩個邊柱、中柱以及兩個連接片，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接片分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，使得所述的中柱的端部與所述的連接片之間形成氣隙。一種采用上述的短柱硅鋼片構(gòu)成的鐵芯，所述的鐵芯由若干所述的短柱硅鋼片疊設而成。本專利技術(shù)的短柱硅鋼片和鐵芯在中柱和連接片之間形成氣隙，可以提高其磁阻以及降低漏磁和電磁干擾。【專利說明】短柱硅鋼片及采用其的鐵芯
本專利技術(shù)涉及一種硅鋼片以及采用該硅鋼片構(gòu)成的鐵芯。
技術(shù)介紹
硅鋼片是構(gòu)成鐵芯的主要部件。現(xiàn)有的硅鋼片通常為呈日字形的一體結(jié)構(gòu)或多片拼接結(jié)構(gòu)。其中，包含有三個相平行設置的片狀部分，分別稱之為邊柱和中柱，它們連接于另外兩個相平行的片狀部分之間而使得他們在這兩個平行的片狀部分之間的長度，即其高度是相等的。這種硅鋼片制成的鐵芯，工作中容易出現(xiàn)磁飽和。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種避免出現(xiàn)磁飽和的短柱硅鋼片以及采用該短柱硅鋼片的鐵芯。為達到上述目的，本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案是: 一種短柱硅鋼片，包括構(gòu)成日字形的兩個邊柱、中柱以及兩個連接片，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接片分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，使得所述的中柱的端部與所述的連接片之間形成氣隙。所述的硅鋼片由E片和I片拼接而成，兩個所述的邊柱、所述的中柱和一個所述的連接片構(gòu)成所述的E片，另一個所述的連接片構(gòu)成所述的I片。所述的中柱的一端部與該端部一側(cè)的所述的連接片之間形成所述的氣隙。—種采用上述的短柱硅鋼片的鐵芯，所述的鐵芯由若干所述的短柱硅鋼片疊設而成。由于上述技術(shù)方案運用，本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:本專利技術(shù)的短柱硅鋼片和鐵芯，在中柱和連接片之間形成氣隙，可以提高其磁阻以及降低漏磁和電磁干擾。【專利附圖】【附圖說明】附圖1為本專利技術(shù)的短柱硅鋼片的示意圖。以上附圖中:1、邊柱；2、中柱；3、連接片；4、E片；5、1片；6、氣隙；7、柳接孔。【具體實施方式】下面結(jié)合附圖所示的實施例對本專利技術(shù)作進一步描述。實施例一:參見附圖1所示。一種短柱硅鋼片，其呈“日”字形，包括兩個邊柱1、中柱2以及兩個連接片3，兩個邊柱I和中柱2并列設置，且兩個邊柱I分別位于中柱2的軸線的兩側(cè)，兩個連接片3分別連接于邊柱I和中柱2的同側(cè)端部。通常，該短柱硅鋼片可以有多片拼接而成。例如，在本實施例中，采用E片4和I片5拼接構(gòu)成該硅鋼片，其中，兩個邊柱1、中柱2和一個連接片3構(gòu)成E片4，另一個連接片3構(gòu)成I片5。由于中柱2和邊柱I是并列設置于兩個平行設置的連接片3之間的，故定義中柱2或邊柱I沿兩個連接片3之間方向上的長度為其高度，中柱2的高度Ii1小于邊柱I的高度1?，使得中柱2的端部與連接片3之間形成氣隙6。具體的，中柱2的長度方向的一端與一個連接片3相連接，而另一端則由于中柱2的高度較小而與該端部一側(cè)的另一連接片3之間形成氣隙6。該短柱硅鋼片上開設有多個鉚接孔7，可以將若干片該短柱硅鋼片疊設并鉚接后形成具有氣隙的鐵芯，該鐵芯僅在中柱的與I片形成的部分之間設置有氣隙，而在邊柱與I片形成部分之間不具有氣隙。該鐵芯可用于電抗器中。上述實施例只為說明本專利技術(shù)的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本專利技術(shù)的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本專利技術(shù)的保護范圍。凡根據(jù)本專利技術(shù)精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本專利技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。【權(quán)利要求】1.一種短柱硅鋼片，包括構(gòu)成日字形的兩個邊柱、中柱以及兩個連接片，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接片分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，其特征在于:所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，使得所述的中柱的端部與所述的連接片之間形成氣隙。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短柱硅鋼片，其特征在于:所述的硅鋼片由E片和I片拼接而成，兩個所述的邊柱、所述的中柱和一個所述的連接片構(gòu)成所述的E片，另一個所述的連接片構(gòu)成所述的I片。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的短柱硅鋼片，其特征在于:所述的中柱的一端部與該端部一側(cè)的所述的連接片之間形成所述的氣隙。4.一種采用權(quán)利要求1所述的短柱硅鋼片的鐵芯，其特征在于:所述的鐵芯由若干所述的短柱硅鋼片疊設而成。【文檔編號】H01F41/02GK103489580SQ201310440441【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日 【專利技術(shù)者】沈永福 申請人:蘇州康開電氣有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種短柱硅鋼片，包括構(gòu)成日字形的兩個邊柱、中柱以及兩個連接片，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接片分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，其特征在于：所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，使得所述的中柱的端部與所述的連接片之間形成氣隙。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：沈永福，
申請(專利權(quán))人：蘇州康開電氣有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：