超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公布了一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，包括多個(gè)以陣列、非對(duì)稱方式均布在上層的主動(dòng)式彈性取樣上片和多個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下層的主動(dòng)式彈性取樣下片；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片上分別設(shè)置有用于定位所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的絕緣件；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部一體式封裝在設(shè)有的塑封體內(nèi)；所述主動(dòng)式彈性取樣上片上側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有上層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣下片下側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有下層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣上片和所述主動(dòng)式彈性取樣下片之間的塑封體內(nèi)設(shè)置有中層金屬屏蔽片；各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置。本發(fā)明專利技術(shù)中的取樣片采用上下雙片形式設(shè)置，提高了測試的可靠性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭
本專利技術(shù)涉及一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭。
技術(shù)介紹
目前，隨著集成電路的外形越來越小型化，其管腿之間的間距已經(jīng)小到0.5mm左右；這樣加上管腿寬度，在成品自動(dòng)測試時(shí)，要求對(duì)位的機(jī)械精度正負(fù)小于0.01mm。高頻集成電路進(jìn)行交流測試時(shí)，具有引線阻抗、分布電容影響和射頻脈沖干擾等問題。當(dāng)前，這種交流測試用探頭幾乎完全依賴進(jìn)口，其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，價(jià)格昂貴，采購周期長。因此，我們通過近幾年的探索和試驗(yàn)，成功研發(fā)出了性能優(yōu)于進(jìn)口的這種交流自動(dòng)測試探頭。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭。本專利技術(shù)為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，包括多個(gè)以陣列、非對(duì)稱方式均布在上層的主動(dòng)式彈性取樣上片和多個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下層的主動(dòng)式彈性取樣下片；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片上分別設(shè)置有用于定位所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的絕緣件；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部一體式封裝在設(shè)有的塑封體內(nèi)；所述主動(dòng)式彈性取樣上片上側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有上層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣下片下側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有下層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣上片和所述主動(dòng)式彈性取樣下片之間的塑封體內(nèi)設(shè)置有中層金屬屏蔽片；各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置。進(jìn)一步的，所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部取樣端設(shè)置有與分選機(jī)測試卡上的固定插座相對(duì)應(yīng)的插頭。進(jìn)一步的，所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部取樣端通過光蝕刻工藝制成片狀探針排，所述片狀探針排中相鄰的探針間距為0.005mm。進(jìn)一步的，所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片均采用銅銀合金制成。優(yōu)選的，所述銅銀合金中，銀的含量為6%（質(zhì)量百分比）。進(jìn)一步的，所述塑封體外側(cè)設(shè)置有安裝定位槽。本專利技術(shù)的有益效果：本專利技術(shù)中的主動(dòng)式彈性取樣片采用上下雙片形式設(shè)置，提高了測試的可靠性。上述取樣片采用陣列、非對(duì)稱方式布線，能夠獲得最小的分布電容和寄生電感，有效解決了高頻交流測試時(shí)引線的分布電容引起的失真。另外，取樣上、下片采用銅銀合金制成，使得探針材料的電阻系數(shù)大大降低，有效地防止引線阻抗導(dǎo)致的信號(hào)衰減和波形失真。一體式封裝的塑封體，可以使探頭在分選機(jī)上形成X、Y和Z三個(gè)方向上的定位。附圖說明圖1為本專利技術(shù)的主視圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本專利技術(shù)的俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式圖1、圖2所示，為一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，包括多個(gè)以陣列、非對(duì)稱方式均布在上層的主動(dòng)式彈性取樣上片2和多個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下層的主動(dòng)式彈性取樣下片9。所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9上分別設(shè)置有用于定位所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9的絕緣件1；該絕緣件1可使多個(gè)取樣片的前部取樣端保持在一個(gè)平面上，同時(shí)防止取樣端Z、Y方向相互間的相碰，造成短路。測試探頭的主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9的前部一體式封裝在設(shè)有的塑封體3內(nèi)。在所述主動(dòng)式彈性取樣上片2上側(cè)的塑封體3內(nèi)設(shè)置有上層金屬屏蔽片4；在所述主動(dòng)式彈性取樣下片9下側(cè)的塑封體3內(nèi)設(shè)置有下層金屬屏蔽片7；在所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9之間的塑封體3內(nèi)設(shè)置有中層金屬屏蔽片5；且各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置。其中，上、下層金屬屏蔽片4、7對(duì)環(huán)境的電磁干擾進(jìn)行反射衰減和吸收衰減。中層金屬屏蔽片5對(duì)主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9（即取樣和加載的工作片）的相互輻射干擾進(jìn)行吸收屏蔽。由于各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置，使相對(duì)的干擾頻率的耦合吸收效果更好。另外，在所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片2、9的前部取樣端還設(shè)置有與分選機(jī)測試卡上的固定插座相對(duì)應(yīng)的插頭6。為使得探針材料的電阻系數(shù)能夠大大降低，主動(dòng)式彈性取樣上、下2、9片均采用銅銀合金制成。所述銅銀合金中銀的含量可優(yōu)選為6%（質(zhì)量百分比）。將本專利技術(shù)的主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部取樣端通過光蝕刻工藝制成片狀探針排，該片狀探針排中相鄰的探針間距可達(dá)到0.005mm。本專利技術(shù)的交流自動(dòng)測試探頭通過塑封體3外側(cè)設(shè)置有安裝定位槽8固定在分選機(jī)上。測試探頭工作時(shí)，由氣動(dòng)元件不斷壓放，使即探頭的端部不斷接觸集成電路的外引線（即管腿），進(jìn)行加載和撿拾信號(hào)。表1為本專利技術(shù)的實(shí)際測試參數(shù)表：以上所述僅為本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例，并不用以限制本專利技術(shù)，凡在本專利技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本專利技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，其特征在于，包括多個(gè)以陣列、非對(duì)稱方式均布在上層的主動(dòng)式彈性取樣上片和多個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下層的主動(dòng)式彈性取樣下片；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片上分別設(shè)置有用于定位所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的絕緣件；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部一體式封裝在設(shè)有的塑封體內(nèi)；所述主動(dòng)式彈性取樣上片上側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有上層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣下片下側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有下層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣上片和所述主動(dòng)式彈性取樣下片之間的塑封體內(nèi)設(shè)置有中層金屬屏蔽片；各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，其特征在于，包括多個(gè)以陣列、非對(duì)稱方式均勻分布在上層的主動(dòng)式彈性取樣上片和多個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下層的主動(dòng)式彈性取樣下片；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片上分別設(shè)置有用于定位所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的絕緣件；所述主動(dòng)式彈性取樣上、下片的前部一體式封裝在設(shè)有的塑封體內(nèi)；所述主動(dòng)式彈性取樣上片上側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有上層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣下片下側(cè)的塑封體內(nèi)設(shè)置有下層金屬屏蔽片，所述主動(dòng)式彈性取樣上片和所述主動(dòng)式彈性取樣下片之間的塑封體內(nèi)設(shè)置有中層金屬屏蔽片；各層之間的金屬屏蔽片呈對(duì)偶設(shè)置。2.如權(quán)利要求1所述的一種超小間距的高頻集成電路交流自動(dòng)測試探頭，其特征在于，所述主動(dòng)式彈性...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：殷友桃，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：無錫市匯博普納電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：