采用多探頭的超聲波檢驗方法技術

本發明專利技術公開采用多探頭的超聲波檢驗方法，該方法通過多探頭裝置進行，多探頭裝置包括：外殼、左斜楔、中斜楔、右斜楔、左晶片、左阻尼塊、左電纜線、超聲儀、中晶片、中阻尼塊、中電纜線、右晶片、右阻尼塊、右電纜線、隔聲槽和消聲槽；該方法包括步驟：（1）通過CSK-ⅠA和CSK-ⅢA試塊對該裝置進行校正；并根據校正結果在超聲儀上輸入三個晶片的各項參數；通過CSK-ⅢA試塊來確定該裝置的探傷靈敏度；（2）檢查該裝置在移動時該裝置內部三個晶片的靈敏度是否正常、報警狀態是否正常；（3）使用該裝置對被檢工件進行檢驗:檢驗時從邊緣一個晶片開始；（4）當該裝置發現缺陷后，用回波幅度最高的晶片，對準缺陷進行前后、左右、轉角和環繞的掃查。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開，該方法通過多探頭裝置進行，多探頭裝置包括：外殼、左斜楔、中斜楔、右斜楔、左晶片、左阻尼塊、左電纜線、超聲儀、中晶片、中阻尼塊、中電纜線、右晶片、右阻尼塊、右電纜線、隔聲槽和消聲槽；該方法包括步驟：（1）通過CSK-ⅠA和CSK-ⅢA試塊對該裝置進行校正；并根據校正結果在超聲儀上輸入三個晶片的各項參數；通過CSK-ⅢA試塊來確定該裝置的探傷靈敏度；（2）檢查該裝置在移動時該裝置內部三個晶片的靈敏度是否正常、報警狀態是否正常；（3）使用該裝置對被檢工件進行檢驗:檢驗時從邊緣一個晶片開始；（4）當該裝置發現缺陷后，用回波幅度最高的晶片，對準缺陷進行前后、左右、轉角和環繞的掃查。【專利說明】
本專利技術屬于A超反射法手動檢測領域，它涉及。
技術介紹
超聲波是頻率高于20000赫茲的聲波，它方向性好，穿透能力強，易于獲得較集中的聲能，在水中傳播距離遠，可用于測距、測速、清洗、焊接、碎石、殺菌消毒等。在醫學、軍事、工業、農業上有很多的應用。超聲波因其頻率下限大約等于人的聽覺上限而得名。目前，超聲波A超反射法手動檢驗時，都是使用傳統人工探傷方法，即一個人、一臺機器、一個探頭的檢測。當一條焊縫需要采用多種角度的探頭進行檢驗時，則需要幾個人同時進行檢測或者一個人對該焊縫進行重復幾次的檢測，才可以完成焊縫的檢驗。如在執行美國ASME標準、執行法國RCCM標準、執行我國JB/T4730.3-2005C級檢測就是這樣，同一焊縫要分別使用兩種或三種甚至四種角度的探頭進行檢驗，才能完成檢驗。耗費了大量人力、物力和寶貴的時間，檢測特別繁瑣。現有專利中存在的相關的多探頭檢測裝置，如中國專利申請CN201120263270.3雙晶片Kl探頭，該專利公開的探頭中，使用了雙探頭，然而這類探頭在晶片之間使用隔音層，增加了這類探頭的成本；同時這類探頭中的晶片的傾斜角固定，使得這類探頭應用不夠靈活；雙探頭探測的范圍有限容易產生漏檢。由于上述問題，本專利技術人對現有的探頭技術進行要緊和分析，以便能制作出具有結構簡單、成本低、使用靈活、探傷范圍大同時可以一次性從多個角度同時探傷的。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術人進行了銳意研究，結果發現:通過改進后的多探頭裝置進行，所述多探頭裝置包括:外殼、左斜楔、中斜楔、右斜楔、左晶片、左阻尼塊、中晶片、中阻尼塊、右晶片、右阻尼塊和超聲儀，其中，左晶片與中晶片之間設置隔聲槽、中晶片與右晶片之間設置隔聲槽，左晶片、中晶片和右晶片三者的前端分別設置消聲槽；該檢驗方法包括以下步驟:(I)通過CSK-1 A和CSK-1II A試塊對該裝置進行校正；并根據校正結果在超聲儀上輸入三個晶片的各項參數；通過CSK-1II A試塊來確定該裝置的探傷靈敏度；(2)檢查該裝置在移動時該裝置內部三個晶片的靈敏度是否正常、報警狀態是否正常；(3)使用該裝置對被檢工件進行檢驗:檢驗時從邊緣一個晶片開始；(4)當該裝置發現缺陷后，用回波幅度最高的晶片，對準缺陷進行前后、左右、轉角和環繞的掃查，再結合各自DAC曲線按標準分別對缺陷做出性質、大小判斷與缺陷評級。從而完成本專利技術。本專利技術的目的在于提供以下方面:第一、，其特征在于:該方法應用下述多探頭裝置，所述多探頭裝置包括:外殼2，其底面透明，其內部的底面上分別設置透明的左斜楔、透明的中斜楔和透明的右斜楔，左晶片5a，其正面貼于左斜楔斜面上，左晶片背面與左阻尼塊6a相貼，左晶片通過左電纜線3a與超聲儀I相連，中晶片，其正面貼于中斜楔斜面上，中晶片背面與中阻尼塊相貼，中晶片通過中電纜線3b與超聲儀相連，右晶片，其正面貼于右斜楔斜面上，右晶片背面與右阻尼塊相貼，右晶片通過右電纜線3c與超聲儀相連，其中，左晶片與中晶片之間設置隔聲槽、中晶片與右晶片之間設置隔聲槽，左晶片、中晶片和右晶片三個晶片的前端分別設置消聲槽；該檢驗方法包括以下步驟:(I)通過CSK-1 A和CSK-1II A試塊對該裝置進行校正:使用CSK-1 A試塊校準材料的橫波聲速值，并通過CSK-1 A試塊對三個晶片的傾斜角度、零點偏移、探頭前沿距離進行校對，并將校對值輸入到超聲儀中；通過CSK-1II A試塊來確定該裝置中每個晶片的探傷靈敏度并保存；(2)檢查該裝置在移動時該裝置內部的三個晶片的探傷靈敏度和報警設備；(3)使用該裝置對被檢測試件進行檢驗:檢驗時從邊緣一個晶片開始，所述邊緣一個晶片為該裝置開始檢驗時最先靠近試塊的晶片；所述邊緣一個晶片為左晶片或者右晶片，根據檢驗時掃查方向確定；(4)當該裝置發現缺陷11后，用回波幅度最高的晶片，對準缺陷進行前后、左右、轉角和環繞的掃查，其中，這四種掃查方式為標準JB4730.3-2005規定四種掃查方式(如圖7中所示)；再結合三個晶片各自探傷靈敏度按標準分別對缺陷做出性質、大小判斷與缺陷評級。第二、根據上述第一方面所述的，其特征在于:左晶片、中晶片和右晶片三個晶片中每個晶片與外殼底面之間夾角的大小是可調的。第三、根據上述第一方面所述的，其特征在于:在步驟(3)中檢驗時從邊緣一個晶片開始，該裝置移動型式為鋸齒型和橫向的平行或斜平行進行，所述鋸齒型即該裝置的路線為折線形；所述橫向平行是指當焊縫余高磨平時將多探頭裝置放在焊縫上與焊縫方向平行，用于檢測焊縫橫向缺陷；斜平行指當焊縫余高未磨平時探頭的掃查方向與焊縫的方向成10?20°的夾角，多探頭裝置每次行走方向相互平行。具體圖示見圖8a和8b。第四、根據上述第一方面所述的，其特征在于:在步驟(3)中該裝置前后移動寬度距離大于被檢測試件厚度與較大折射角的正切值的乘積，所述較大折射角為三個晶片中折射角第二大的晶片產生的折射角。第五、根據上述第一方面所述的，其特征在于:該裝置外殼底部的材質為有機玻璃。第六、多探頭裝置，其如上述第一方面至第五方面中任一項所述。根據本專利技術提供的，具有結構簡單、成本低、使用靈活、探傷范圍大同時可以一次性從多個角度同時探傷；該方法具體具有如下的有益效果:第一、該裝置使用了幾個角度組合晶片組成的探頭，在一次的掃查檢測中就可以完成多個角度的各自檢測掃查，使檢驗工作效率成倍或幾倍的提高；第二、該裝置同時多角度配合使用，一次檢驗就可以對同一缺陷進行多角度相互驗證，給缺陷的定性，提供了更多的信息；第三、由于幾個晶片組合并列，增加晶片寬度，使檢驗中每次的該裝置移動覆蓋增力口，減少了因覆蓋不足而引起的漏檢；第四、因幾個晶片共存，由聲束擴散而形成屋頂角反射，可檢出某些傾斜缺陷；第五、該方法適用于執行美國ASME標準的產品、JB/T4730.3-2005C級檢測的產品、執行法國RCCM標準檢測的產品或者有多探頭檢驗需要的場合。【專利附圖】【附圖說明】圖1示出根據本專利技術優選實施方式的的工作狀態圖；圖2示出根據本專利技術優選實施方式的中多探頭裝置的結構示意圖；圖3示出根據本專利技術優選實施方式的中多探頭裝置的左視圖；圖4示出根據本專利技術優選實施方式的屋頂反射示意圖；圖5示出根據本專利技術優選實施方式的被檢測試件的不意圖；圖6示出常規A超反射法檢測裝置的示意圖；圖7示出四種缺陷判定方式示意圖圖8a示出根據本專利技術優選實施方式的的移動型式中斜平行方式示意圖；圖Sb示出根據本專利技術優選實施方式的的移動型式中橫向平行方式示意圖；圖9本文檔來自技高網...

【技術保護點】
采用多探頭的超聲波檢驗方法，其特征在于：該方法應用下述多探頭裝置，所述多探頭裝置包括：外殼（2），其底部透明，其內部的底面上分別設置透明的左斜楔、透明的中斜楔和透明的右斜楔，左晶片（5a），其正面貼于左斜楔斜面上，左晶片背面與左阻尼塊（6a）相貼，左晶片通過左電纜線（3a）與超聲儀（1）相連，中晶片，其正面貼于中斜楔斜面上，中晶片背面與中阻尼塊相貼，中晶片通過中電纜線（3b）與超聲儀相連，右晶片，其正面貼于右斜楔斜面上，右晶片背面與右阻尼塊相貼，右晶片通過右電纜線（3c）與超聲儀相連，其中，左晶片與中晶片之間設置隔聲槽（7）、中晶片與右晶片之間設置隔聲槽（7），左晶片、中晶片和右晶片三個晶片的前端分別設置消聲槽（8）；該檢驗方法包括以下步驟：（1）通過CSK?ⅠA和CSK?ⅢA試塊對該裝置進行校正：使用CSK?ⅠA試塊校準材料的橫波聲速值，并通過CSK?ⅠA試塊對三個晶片的傾斜角度、零點偏移、探頭前沿距離進行校對，并將校對值輸入到超聲儀中；通過CSK?ⅢA試塊來確定該裝置中每個晶片的探傷靈敏度并保存；（2）檢查該裝置在移動時該裝置內部的三個晶片的探傷靈敏度和報警設備；（3）使用該裝置對被檢測試件（15）進行檢驗:檢驗時從邊緣一個晶片開始，所述邊緣一個晶片為該裝置開始檢驗時最先靠近試塊的晶片。所述邊緣一個晶片為左晶片或者右晶片；（4）當該裝置發現缺陷后，用回波幅度最高的晶片，對準缺陷進行前后、左右、轉角和環繞的掃查，再結合三個晶片各 自探傷靈敏度按標準分別對缺陷做出性質、大小判斷與缺陷評級。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王佐森，賽鵬，周海波，朱青山，鄧顯余，夏珊，余金濤，趙曉華，
申請(專利權)人：哈電集團秦皇島重型裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：