一種差分電容式傳感器檢測電路制造技術

本發明專利技術公開了一種差分電容式傳感器檢測電路，它包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、場效應管MOS4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、放大器和D/A轉換器。其優點是：其精度高，電路結構簡單，便于封裝。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種差分電容式傳感器檢測電路，它包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、場效應管MOS4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、放大器和D/A轉換器。其優點是：其精度高，電路結構簡單，便于封裝?！緦＠f明】一種差分電容式傳感器檢測電路
本專利技術涉及集成電路，更具體的說是涉及一種差分電容式傳感器檢測電路。
技術介紹
一種差分電容式傳感器檢測電路有多種電路方式來實現。由于差分電容式傳感器所產生的信號極其微弱，一般都在PF量級，其電容變化量一般在10_15-10_18F，要檢測如此微小的電容變化量，對檢測電路中各部分電路的選取尤為重要。目前采用如圖2所示的電路原理來構建電路，其最小差分量級可達到10_16F。但是，其電路結構復雜，使得集成后電路板體積較大，對封裝有一定的限制。
技術實現思路
本專利技術提供一種差分電容式傳感器檢測電，其精度高，電路結構簡單，便于封裝。為解決上述的技術問題，本專利技術采用以下技術方案: 一種差分電容式傳感器檢測電路，它包括場效應管M0S1、場效應管M0S2、場效應管M0S3、場效應管M0S4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容Cl、電容C2、放大器和D/A轉換器，所述的場效應管M0S2和場效應管M0S4的柵極均連接在時鐘控制電路上，所述的場效應管M0S2的漏極和場效應管M0S4的漏極分別與場效應管MOSl的源極和場效應管M0S3的源極相連；所述的場效應管MOSl的漏極和場效應管M0S3的漏極均連接在電源上；所述的電容Cl的一端接地，另一端同時連接在場效應管M0S2的源極和放大器的一個輸入端上；所述的電容C2的一端接地，另一端同時連接在場效應管M0S4的源極和放大器的另一個輸入端上；所述的電阻Rl并聯在電容Cl上，所述的電阻R2和電容C2并聯；所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。更進一步的技術方案是: 所述的場效應管MOSl、場效應管M0S2、場效應管M0S3和場效應管M0S4均為P型場效應管。所述的電阻Rl的阻值與電阻R2的阻值相等。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是: 本專利技術采用場效應管作為支路通斷的開關，利用時鐘控制線路對場效應管的通斷做控制，通過測量兩個電容的變化量來檢測計算加速度，其精度高，且電路結構簡單，可有效的減少電路板的封裝體積。【專利附圖】【附圖說明】下面結合附圖和【具體實施方式】對本專利技術作進一步詳細說明。圖1為本專利技術的電路圖。圖2為現有一種差分電容式傳感器檢測電路的原理框圖?！揪唧w實施方式】下面結合附圖對本專利技術作進一步的說明。本專利技術的實施方式包括但不限于下列實施例。 如圖1所示的一種差分電容式傳感器檢測電路，它包括場效應管MOSl、場效應管M0S2、場效應管M0S3、場效應管M0S4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容Cl、電容C2、放大器和D/A轉換器，所述的場效應管M0S2和場效應管M0S4的柵極均連接在時鐘控制電路上，所述的場效應管M0S2的漏極和場效應管M0S4的漏極分別與場效應管MOSl的源極和場效應管M0S3的源極相連；所述的場效應管MOSl的漏極和場效應管M0S3的漏極均連接在電源上；所述的電容Cl的一端接地,另一端同時連接在場效應管M0S2的源極和放大器的一個輸入端上；所述的電容C2的一端接地，另一端同時連接在場效應管M0S4的源極和放大器的另一個輸入端上；所述的電阻Rl并聯在電容Cl上，所述的電阻R2和電容C2并聯；所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。所述的場效應管MOSl、場效應管M0S2、場效應管M0S3和場效應管M0S4均為P型場效應管。所述的電阻Rl的阻值與電阻R2的阻值相等。在本專利技術中，場效應管MOSl和場效應管M0S3柵極為偏置電壓，可由外部產生。由時鐘控制電路來控制場效應管M0S2和場效應管M0S4的交替開關，實現對兩個電容的交錯充放電采用。對電容進行時間相同的充電，電容大小與充電后的電壓高低相關，放大器檢測兩個電容的電壓差值，放大后進行數模轉換輸出數字信號，便于后續設備計算加速度。電阻R1、電阻R2分別為電容Cl、電容C2所處支路提供通路。采用該電路，其包含4個場效應管、兩個電容、兩個電阻、放大器、時鐘控制電路和DA轉換器，其電路結構簡單，集成后電路板的體積小于采用圖2所示電路原理集成的電路板的體積。采用本專利技術，其精度高，由測量可得:其最小差分量級可達到10_17F。如上所述即為本專利技術的實施例。本專利技術不局限于上述實施方式，任何人應該得知在本專利技術的啟示下做出的結構變化，凡是與本專利技術具有相同或相近的技術方案，均落入本專利技術的保護范圍之內?！緳嗬蟆?.一種差分電容式傳感器檢測電路，其特征在于:它包括場效應管M0S1、場效應管M0S2、場效應管M0S3、場效應管M0S4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容Cl、電容C2、放大器和D/A轉換器，所述的場效應管M0S2和場效應管M0S4的柵極均連接在時鐘控制電路上，所述的場效應管M0S2的漏極和場效應管M0S4的漏極分別與場效應管MOSl的源極和場效應管M0S3的源極相連；所述的場效應管MOSl的漏極和場效應管M0S3的漏極均連接在電源上；所述的電容Cl的一端接地，另一端同時連接在場效應管M0S2的源極和放大器的一個輸入端上；所述的電容C2的一端接地，另一端同時連接在場效應管M0S4的源極和放大器的另一個輸入端上；所述的電阻Rl并聯在電容Cl上，所述的電阻R2和電容C2并聯；所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。2.根據權利要求1所述的一種差分電容式傳感器檢測電路，其特征在于:所述的場效應管M0S1、場效應管M0S2、場效應管M0S3和場效應管M0S4均為P型場效應管。3.根據權利要求1或2所述的一種差分電容式傳感器檢測電路，其特征在于:所述的電阻Rl的阻值與電阻R2的阻值相等?！疚臋n編號】G01R27/26GK103513116SQ201310501763【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月23日 優先權日:2013年10月23日 【專利技術者】黃友華 申請人:成都市宏山科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種差分電容式傳感器檢測電路，其特征在于：它包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、場效應管MOS4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、放大器和D/A轉換器，所述的場效應管MOS2和場效應管MOS4的柵極均連接在時鐘控制電路上，所述的場效應管MOS2的漏極和場效應管MOS4的漏極分別與場效應管MOS1的源極和場效應管MOS3的源極相連；所述的場效應管MOS1的漏極和場效應管MOS3的漏極均連接在電源上；所述的電容C1的一端接地，另一端同時連接在場效應管MOS2的源極和放大器的一個輸入端上；所述的電容C2的一端接地，另一端同時連接在場效應管MOS4的源極和放大器的另一個輸入端上；所述的電阻R1并聯在電容C1上，所述的電阻R2和電容C2并聯；所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃友華，
申請(專利權)人：成都市宏山科技有限公司，
類型：發明
國別省市：