鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法技術(shù)

一種鰭式場效應(yīng)晶體管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；依次在半導(dǎo)體襯底上沉積第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料，第一半導(dǎo)體材料與第二半導(dǎo)體材料的材料不同；依次圖形化第二半導(dǎo)體材料、第一半導(dǎo)體材料，以分別形成鰭和半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層和鰭為沿平行于半導(dǎo)體襯底的第一方向的條狀半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層和鰭露出的半導(dǎo)體襯底上沉積絕緣材料；去除部分絕緣材料，使剩余絕緣材料與半導(dǎo)體層齊平，以形成絕緣層；在鰭上形成柵極結(jié)構(gòu)；摻雜柵極結(jié)構(gòu)露出的、位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭，以形成源極和漏極。本發(fā)明專利技術(shù)還提供由制造方法形成的鰭式場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明專利技術(shù)鰭式場效應(yīng)晶體管在解決浮體效應(yīng)的同時具有較好的工藝可控性。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種鰭式場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣層，所述絕緣層中形成有沿平行于半導(dǎo)體襯底的第一方向的凹槽；填充于所述凹槽中的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的鰭；沿平行于半導(dǎo)體襯底的第二方向覆蓋于所述鰭上的柵極結(jié)構(gòu)，所述第二方向與所述第一方向垂直；沿平行于半導(dǎo)體襯底的第一方向位于所述鰭兩側(cè)、位于所述半導(dǎo)體層上的源極和漏極；其中，所述半導(dǎo)體層的材料與所述鰭的材料不同。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：肖德元，
申請(專利權(quán))人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：