本發明專利技術公開了一種導熱絕緣封裝材料，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹脂，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的：把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至90℃-110℃，然后用超聲波處理30-50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150℃-160℃條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。通過上述方式，本發明專利技術導熱絕緣封裝材料為復合型絕緣材料，介電性能好、熱膨脹系數低、強度高、硬度大、無毒無害，可以廣泛適用于精密電子零部件的封裝。
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種導熱絕緣封裝材料，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹脂，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的：把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至90℃-110℃，然后用超聲波處理30-50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150℃-160℃條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。通過上述方式，本專利技術導熱絕緣封裝材料為復合型絕緣材料，介電性能好、熱膨脹系數低、強度高、硬度大、無毒無害，可以廣泛適用于精密電子零部件的封裝。【專利說明】一種導熱絕緣封裝材料
本專利技術涉及絕緣材料領域，特別是涉及一種導熱絕緣封裝材料。
技術介紹
隨著電子設備和元器件向輕薄、精小化方向發展，散熱在電子封裝和熱傳導工業已經成為一個越來越重要的問題，具有導熱絕緣作用的封裝材料，對高頻微電子元器件散熱、提高器件工作效率、延長使用壽命等具有極其重要的作用。電子封裝材料種類非常多，目前主要用的是環氧樹脂封裝材料，電子電氣元器件的功率密度越來越大，對導熱絕緣封裝材料的導熱性能要求也越來越高。 導熱絕緣環氧樹脂材料主要包括本體型和填充型，本體型工藝復雜、加工成本高；填充型是在環氧樹脂中加入導熱絕緣填料，按一定的方式復合而獲得導熱環氧樹脂絕緣材料，由于現用的普通環氧樹脂耐熱性及韌性方面還存在其特有的缺陷，對于用于超精密、要求極高的電子零部件的封裝還存在一定的缺陷。
技術實現思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供一種導熱絕緣封裝材料，采用改性納米環氧樹脂基充填導熱絕緣材料，介電性能好、熱膨脹系數低、強度高、硬度大、無毒無害，可以廣泛適用于精密電子零部件的封裝。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是:提供一種導熱絕緣封裝材料，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹脂，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的:把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至90°C -110°C，然后用超聲波處理30-50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150°C _160°C條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。在本專利技術的一個較佳實施例中，所述改性碳化硅粉末平均粒度為I μ m，表觀密度為2.5g/cm3，純度大于97%。在本專利技術的一個較佳實施例中，所述分散劑為陽離子型表面活性劑。在本專利技術的一個較佳實施例中，所述陽離子型表面活性劑為十六烷基三甲基溴化銨。本專利技術的有益效果是:本專利技術一種導熱絕緣封裝材料，為改性碳化硅粉末導熱絕緣材料充填納米改性環氧樹脂基體的復合型絕緣材料，該材料介電性能好、熱膨脹系數低、強度高、硬度大、無毒無害，可以廣泛適用于精密電子零部件的封裝。【具體實施方式】下面對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述，以使本專利技術的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。本專利技術實施例包括: 一種導熱絕緣封裝材料，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹脂，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的:把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至900C -110°C，然后用超聲波處理30-50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150°C _160°C條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。所述改性碳化硅粉末平均粒度為I μ m,表觀密度為2.5g/cm3,純度大于97%。所述分散劑為陽離子型表面活性劑。所述陽離子型表面活性劑為十六烷基三甲基溴化銨。實施例一:把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有十六烷基三甲基溴化銨分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至100°c，然后用超聲波處理35min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150°C條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂，把所得的改性環氧樹脂和35%體積分數的經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末充分攪拌并超聲波分散60min，加入固化劑鄰苯二甲酸酐，繼續攪拌，80°C下固化，得到改性納米環氧樹脂/改性碳化硅導熱絕緣復合材料。實施例二:把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有十六烷基三甲基溴化銨分散劑和硅烷偶聯劑 的溶劑中，升溫至 110°C，然后用超聲波處理50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在160°C條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂，把所得的改性環氧樹脂和30%體積分數的經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末充分攪拌并超聲波分散60min，加入固化劑鄰苯二甲酸酐，繼續攪拌，80°C下固化，得到改性納米環氧樹脂/改性碳化硅導熱絕緣復合材料。本專利技術揭示了一種導熱絕緣封裝材料，為改性碳化硅粉末導熱絕緣材料充填納米改性環氧樹脂基體的復合型絕緣材料，該材料介電性能好、熱膨脹系數低、強度高、硬度大、無毒無害，可以廣泛適用于精密電子零部件的封裝。以上所述僅為本專利技術的實施例，并非因此限制本專利技術的專利范圍，凡是利用本專利技術說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的
，均同理包括在本專利技術的專利保護范圍內。【權利要求】1.一種導熱絕緣封裝材料，其特征在于，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹月旨，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的:把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至90°c -110°C，然后用超聲波處理30-50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150°C -160°C條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。2.根據權利要求1所述的導熱絕緣封裝材料，其特征在于，所述改性碳化硅粉末平均粒度為I μ m,表觀密度為2.5g/cm3,純度大于97%。3.根據權利要求1所述的導熱絕緣封裝材料，其特征在于，所述分散劑為陽離子型表面活性劑。4.根據權利要求3所述的導熱絕緣封裝材料，其特征在于，所述陽離子型表面活性劑為十六烷基三甲基溴化銨 。【文檔編號】C08K3/34GK103525012SQ201310447871【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年9月27日 優先權日:2013年9月27日 【專利技術者】周巧芬 申請人:昆山市奮發絕緣材料有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種導熱絕緣封裝材料，其特征在于，所述導熱絕緣封裝材料由環氧樹脂基體和導熱絕緣填料經過均勻分散后得到，所述環氧樹脂基體為經納米二氧化硅處理的改性環氧樹脂，所述導熱絕緣材料為經硅烷偶聯劑處理的改性碳化硅粉末，所述改性環氧樹脂是由以下方式方式得到的：把納米二氧化硅烘干，在攪拌狀態下加入到溶有分散劑和硅烷偶聯劑的溶劑中，升溫至90℃?110℃，然后用超聲波處理30?50min，然后將其加入到環氧樹脂中，在150℃?160℃條件下加入催化劑，然后攪拌2h左右得到改性環氧樹脂。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：周巧芬，
申請(專利權)人：昆山市奮發絕緣材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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