【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術涉及，首先將晶圓放入惰性氣體（如Ar）和氧氣的混合氣體環境中，氧氣與惰性氣體的體積份數之比為1：100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA機臺進行表面修復，其可以在低溫下產生濃度分布均勻的高密度RLSA等離子體（徑向線縫隙天線等離子體），RLSA等離子體在壓力范圍為5毫托～500毫托，溫度范圍為300℃～400℃，在惰性氣體(如Ar等)與氧氣的環境下與晶圓背面作用，修復晶圓背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，從而獲得很好的器件性能。【專利說明】
本專利技術涉及一種晶圓的修復方法，尤其涉及。
技術介紹
功能器件(power device)和背照式CMOS傳感器等制造工藝中，需要將晶圓背面進行減薄化處理，減薄勢必對硅基底造成損傷，形成表面缺陷。現有的技術一般采用蒸汽氧化物(steam oxide)或者去偶化的氧化物(DPO)的等方法來進行表面修復,但是其仍有進一步的提升空間
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種晶圓背面的表面缺陷的修復方法。本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下:，首先將晶圓放入惰性氣體和氧氣的混合氣體環境中，然后通入等離子體，所述等離子體作用于晶圓背面，修復晶圓背面的表面缺陷。本專利技術的有益效果是:采用等離子體作用于晶圓背面，以修復晶圓背面的表面缺陷，降低界面缺陷密度，從而獲得很好的器件性能。在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以做如下改進。進一步，所述等離子體為徑向線縫隙天線等離子體。進一步，所述惰性氣體與氧氣的混合氣體環境中，氧氣與惰性氣體的體積份數之比為 1:100 ?3:10...
【技術保護點】
一種晶圓背面的表面修復方法，其特征在于：首先將晶圓放入惰性氣體和氧氣的混合氣體環境中，然后通入等離子體，所述等離子體作用于晶圓背面，修復晶圓背面的表面缺陷。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪齊元，黃海，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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