一種多晶/類單晶硅太陽能電池選擇性發射極結構的制備方法技術

一種多晶/類單晶硅太陽能電池選擇性發射極結構的制備方法，步驟如下（1）化學去除表面能損傷層；（2）采用一次擴散工藝進行重摻雜，形成PN結；（3）硅片表面生長或形成介質層或掩膜層；（4）化學腐蝕方法腐蝕非電極柵線區的介質層而保留電極柵線區下的掩膜層；（5）利用反應離子刻蝕RIE在非電極柵線區刻蝕出100-300nm的金字塔絨面結構，同時一次性形成淺摻雜區；（6）使用濕化學方法一次性去除反應離子刻蝕形成的表面損傷層及電極柵線區下掩膜層，即得到選擇性發射極結構。本發明專利技術采用一次擴散結合反應離子刻蝕技術就完成選擇性發射極多晶/類單晶硅太陽電池所需的輕重摻雜和低反射率納米級表面織構，簡化了工藝路徑，轉化效率高，適合工業化量產。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種多晶/類單晶硅太陽能電池選擇性發射極結構的制備方法，其特征是包括以下步驟（1）化學去除多晶/類單晶硅硅片的表面能損傷層；（2）對硅片表面采用一次擴散工藝進行重摻雜，形成PN結；（3）硅片表面生長或形成介質層或掩膜層，掩膜層厚20?300nm；（4）化學腐蝕方法腐蝕非電極柵線區的掩膜層而保留電極柵線區下的掩膜層；（5）利用反應離子刻蝕RIE在非電極柵線區刻蝕出100?300nm的金字塔絨面結構，同時一次性形成淺摻雜區；（6）使用濕化學方法一次性去除反應離子刻蝕形成的表面損傷層及電極柵線區下掩膜層，即得到選擇性發射極結構。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王麗春，趙彥，黃海冰，呂俊，王艾華，趙建華，
申請(專利權)人：中電電氣南京光伏有限公司，
類型：發明
國別省市：