電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器制造技術

本發明專利技術公開了電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，包括第一電阻、第二電阻、反相器及第一PMOS管，第一電阻兩端分別與第一PMOS管漏極和第二電阻連接，第一PMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與反相器的輸入端連接，反相器的輸出端與第一PMOS管柵極連接，第一PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線。本發明專利技術采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，且本發明專利技術能在輸入過高時進行泄壓，從而避免輸入電子標簽內芯片的電壓過高而導致芯片損壞。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，包括第一電阻、第二電阻、反相器及第一PMOS管，第一電阻兩端分別與第一PMOS管漏極和第二電阻連接，第一PMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與反相器的輸入端連接，反相器的輸出端與第一PMOS管柵極連接，第一PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線。本專利技術采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，且本專利技術能在輸入過高時進行泄壓，從而避免輸入電子標簽內芯片的電壓過高而導致芯片損壞。【專利說明】電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器
本專利技術涉及電子標簽，具體是電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器。
技術介紹
隨著電子技術的迅猛發展和制造水平的不斷提高，采用無線電實現的射頻識別技術發展迅猛，射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡，其將無線電技術和IC技術結合，通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據。射頻識別系統中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路，高頻接口從其天線上吸收電流，并將吸收的電流整流后作為電子標簽內芯片的電源?，F有電子標簽內芯片常常會因高頻接口整流輸出的電壓過高而損壞，這就造成大量資源浪費。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，提供了能抑制輸入電子標簽內電壓過高的電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器。本專利技術的目的主要通過以下技術方案實現:電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，包括第一電阻、第二電阻、反相器及第一 PMOS管，所述第一電阻兩端分別與第一PMOS管漏極和第二電阻連接，第一 PMOS管的源極接地，所述第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與反相器的輸入端連接，反相器的輸出端與第一 PMOS管柵極連接，所述第一 PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線。本專利技術中的直流電壓輸入線接收高頻接口整流后的電壓，輸入的電壓經過本專利技術處理后從第一電阻與第二電阻之間線路上外接的線路輸出。電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，還包括第一 NMOS管、第二 NMOS管及第三NMOS管，所述第一 NMOS管、第二 NMOS管及第三NMOS管三者的柵極均連接在第一電阻與第二電阻之間的線路上，所述第一 NMOS管漏極與第二電阻和反相器之間的線路連接，第二 NMOS管的源極和漏極分別與第三NMOS管漏極和第一 NMOS管源極連接，第三NMOS管源極接地。所述第一電阻為壓敏電阻，第二電阻為可調電阻。本專利技術通過壓敏電阻的作用，能進一步對本專利技術進行過壓保護；本專利技術可通過可調電阻對本專利技術中作用于第一 PMOS管柵極的電壓進行調控，進而對泄放電壓進行調控。與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果:本專利技術包括第一電阻、反相器、第一PMOS管及第二 PMOS管，其中，第一電阻兩端分別與第一 PMOS管漏極和第二電阻連接，第一PMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與反相器的輸入端連接，反相器的輸出端與第一 PMOS管柵極連接,直流電壓輸入線連接在第一 PMOS管漏極與第一電阻之間的線路上，本專利技術采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，且本專利技術在工作時若電壓過高，可通過第一 PMOS管進行泄壓，進而能避免高頻接口輸入電子標簽內芯片的電壓過聞。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本專利技術實施例的結構示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為:R1—第一電阻，R2—第二電阻，Pl—第一 PMOS管，NI—第一 NMOS 管，N2—第二 NMOS 管，N3—第三 NMOS 管，N4—第四 NMOS 管，INVl—反相器，I一直流電壓輸入線。【具體實施方式】下面結合實施例及附圖對本專利技術作進一步的詳細說明，但本專利技術的實施方式不限于此。實施例: 如圖1所示，電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，包括第一電阻R1、第二電阻R2、反相器INVl及四個MOS管，其中，第一電阻Rl為壓敏電阻，第二電阻R2為可調電阻，四個MOS管包括一個PMOS管和三個NMOS管，其中，一個PMOS管為第一 PMOS管P1，三個NMOS管分別為第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2及第三NMOS管N3。第一電阻Rl兩端分別與第一 PMOS管Pl漏極和第二電阻R2連接，第一 PMOS管Pl的源極接地，第二電阻R2相對連接第一電阻Rl端的另一端與反相器INVl的輸入端連接,反相器INVl的輸出端與第一PMOS管Pl柵極連接，第一 PMOS管Pl漏極與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸入線I。第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2及第三NMOS管N3三者的柵極均連接在第一電阻Rl與第二電阻R2之間的線路上，第一 NMOS管NI漏極與第二電阻R2和反相器INVl之間的線路連接，第二 NMOS管N2的源極和漏極分別與第三NMOS管N3漏極和第一 NMOS管NI源極連接，第三NMOS管N3源極接地。如上所述，則能很好的實現本專利技術?！緳嗬蟆?.電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，其特征在于:包括第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、反相器(INVl)及第一 PMOS管(P1)，所述第一電阻(Rl)兩端分別與第一PMOS管(PI)漏極和第二電阻(R2 )連接，第一 PMOS管(PI)的源極接地，所述第二電阻(R2 )相對連接第一電阻(Rl)端的另一端與反相器(INVl)的輸入端連接，反相器(INVl)的輸出端與第一 PMOS管(Pl)柵極連接，所述第一 PMOS管(Pl)漏極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸入線(I)。2.根據權利要求1所述的電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，其特征在于:還包括第一NMOS管(NI)、第二NMOS管(N2)及第三NMOS管(N3)，所述第一NMOS管(NI)、第二 NMOS管(N2)及第三NMOS管(N3)三者的柵極均連接在第一電阻(Rl)與第二電阻(R2)之間的線路上，所述第一 NMOS管(NI)漏極與第二電阻(R2)和反相器(INVl)之間的線路連接，第二 NMOS管(N2)的源極和漏極分別與第三NMOS管(N3)漏極和第一 NMOS管(NI)源極連接，第三NMOS管(N3)源極接地。3.根據權利要求1或2所述的電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，其特征在于:所述第一電阻(Rl)為壓敏電阻，第二電阻(R2)為可調電阻。【文檔編號】H02H9/04GK103532121SQ201210225653【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年7月3日 優先權日:2012年7月3日 【專利技術者】曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
電子標簽的高頻接口中抑制電壓的過流保護器，其特征在于：包括第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、反相器（INV1）及第一PMOS管（P1），所述第一電阻（R1）兩端分別與第一PMOS管（P1）漏極和第二電阻（R2）連接，第一PMOS管（P1）的源極接地，所述第二電阻（R2）相對連接第一電阻（R1）端的另一端與反相器（INV1）的輸入端連接，反相器（INV1）的輸出端與第一PMOS管（P1）柵極連接，所述第一PMOS管（P1）漏極與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸入線（1）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：曾維亮，
申請(專利權)人：成都市宏山科技有限公司，
類型：發明
國別省市：