Has not even crystal silicon solar cell front gate line distribution, the main gate line according to the normal distribution, the time grating solar cell positive printing using gradient distribution design, the design of gradient distribution from the center to the central region surrounded by the battery to the region, a region between the gate line spacing and time the greater the density of more and more small sub gate line. The crystalline silicon solar cell of the utility model is a structure with 4-15 main grid lines.
【技術實現步驟摘要】
具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池
本技術涉及晶體硅太陽電池正面圖形的新設計，尤其是具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池。
技術介紹
晶體硅太陽能電池，其電極的制備多采用絲網印刷方法，正面圖形一般采用柵線和主電極垂直的結構方式，次柵線間距多為等間距。提高電池的方塊電阻可以提升短路電流和開路電壓，進而提升電池效率，但同時高的方塊電阻也會導致晶體硅太陽電池的正面歐姆接觸變難，導致FF下降(FF為電池的最佳功率和極限功率之比，反映1-V輸出特性的好壞，受電池正背面金屬電阻、接觸電阻、硅基體電阻和擴散層電阻等影響)，也會造成電池光電轉換效率下降，高方阻硅片結合密柵設計(密柵指次柵間距更小)，可以提升電流和FF，從而提升效率。由于目前管式爐擴散的硅片方阻不均勻，而柵線間距為等間距，硅片只有部分區域實現密柵和高方阻搭配。
技術實現思路
本技術主要解決的技術問題是:結合晶體硅太陽能電池方阻不均勻的分布，進行梯度設計，使得高方阻區域和密柵匹配，實現太陽電池效率提升。本技術解決技術問題的技術方案是:具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池，主柵線按常規分布，對于太陽電池的正面印刷的次柵線采用梯度分布設計，所述的梯度分布設計是從電池中心區域到包圍中心區域往外的區域，區域之間次柵線的間距越來越大，即次柵線的分布密度越來越小。進一步的，本技術的晶體硅太陽能電池是具有4-15根主柵線的結構。進一步的，太陽能電池的區域從中心矩形區域往外可以分為大于等于2個矩形環區域，每個矩形環區域的次柵線間距設計為等間距，愈在外部的矩形環區域的次柵線間距愈大，間距也可設計為從電池中...
【技術保護點】
具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池，主柵線4?15根，其特征是對于太陽電池的正面印刷的次柵線采用梯度分布設計，所述的梯度分布設計是從電池中心區域到包圍中心區域往外的區域，區域之間次柵線的間距越來越大，即次柵線的分布密度越來越小。
【技術特征摘要】
1.具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池，主柵線4-15根，其特征是對于太陽電池的正面印刷的次柵線采用梯度分布設計，所述的梯度分布設計是從電池中心區域到包圍中心區域往外的區域，區域之間次柵線的間距越來越大，即次柵線的分布密度越來越小。2.根據權利要求1所述的具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池，其特征是太陽能電池的區域從中心矩形區域往外可以分為大于等于2個矩形環區域，每個矩形環區域的次柵線間距設計為等間距，愈在外部的矩形環區域的次柵線間距愈大，間距也可設計為從電池中心區域往外依次增加的遞變結構。3.根據權利要求1所述的具有不均勻正面柵線分布的晶體硅太陽能電池，其特征是晶體硅太陽能電池是具有5...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂俊，邱凱坤，王繼磊，劉磊，張永紅，賈天世，汪翔，張繼遠，王艾華，趙建華，
申請(專利權)人：中電電氣南京光伏有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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