靜電防護裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術提供了一種靜電防護裝置，包括電性耦接于一待測走線的半導體結構，其半導體結構包含閘極電極層、閘極絕緣層、半導體電極層以及源/汲極電極層。閘極電極層形成于基板上，其包含一漸縮端。閘極絕緣層形成于閘極電極層上，其包含第一轉角及第二轉角。半導體電極層形成于閘極絕緣層上。源/汲極電極層形成于半導體電極層上。由第一漸縮端分別與第一轉角及第二轉角形成第一靜電放電路徑及第二靜電放電路徑。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
靜電防護裝置
本技術涉及一種靜電防護裝置，且特別是涉及一種液晶顯示面板的靜電防護裝置。
技術介紹
消費性電子時代已來臨，新的應用面不斷增加，消費者對于影像的要求愈來愈高，因此,高分辨率、窄邊框及低功耗逐漸成為主流電子產品的面板必備的特性。為迎合消費者的需求，業界發展出面板內建閘極(Gate in Panel, GIP)技術，使得電子產品的面板能符合消費者對于窄邊框的需求。面板廠于產品出廠前必須對產品進行檢測，而確保消費者不會買到有瑕疵的產品。據此，面板廠于面板制程結束后必定會對面板進行P檢，所謂P檢是對面板外觀檢查以及點燈檢測，此點燈檢測系指對點缺陷及線缺陷進行檢查。詳細而言，在進行P檢時，可藉由探針將訊號傳遞進入面板，以確認數據線或掃描線可正常運作以傳遞訊號。然而，米用面板內建閘極的電子產品的面板，在設計上所需的輸入訊號較多，因此，在進行P檢時，容易引起靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)的問題。由此可見，上述現有技術，仍存在不便與缺陷，而有待改進。為了解決上述問題，相關領域莫不費盡心思來謀求行之有 效的解決方案，但長久以來仍未發展出適當的解決方案。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題在于提供一種液晶顯示面板的靜電防護裝置，藉以改善采用面板內建閘極的電子產品的面板所存在的靜電放電的問題。為解決上述技術問題，本技術所采用的技術方案是:提供一種液晶顯示面板的靜電防護裝置，其包含電性耦接于一待測走線的半導體結構，而半導體結構包含閘極電極層、閘極絕緣層、半導體電極層以及源/汲極電極層。閘極電極層形成于基板上，其中所述閘極電極層具有一形狀為向該基板的反方向漸縮的橫切面，從而在基板的反方向上形成第一漸縮端。閘極絕緣層包含第一區以及第二區，第一區系沿著閘極電極層的外表面共形設置，而第二區系形成于基板上，其中第一區具有一包含第一轉角及第二轉角的橫切面。半導體電極層系沿著閘極絕緣層的外表面共形設置。源/汲極電極層系沿著半導體電極層的外表面共形設置。由第一漸縮端分別與第一轉角及第二轉角形成第一靜電放電路徑及第二靜電放電路徑。根據本技術一實施例，閘極絕緣層在第一轉角及第二轉角處分別包含第一裂縫及第二裂縫，其中由第一漸縮端分別與第一裂縫及第二裂縫形成第一靜電放電路徑及第二靜電放電路徑。根據本技術另一實施例，閘極電極層的橫切面的形狀包含三角形及梯形的其中至少一者。根據本技術再一實施例，閘極電極層的第一漸縮端匯聚于一條直線或一個面上。根據本技術又一實施例，基板的反方向定義為沿所述基板平面的垂直方向，其中，閘極電極層包含位于一水平方向上的第一端與第二端，其中，第一端具有一形狀為由所述閘極電極層的中心向外側的方向漸縮的橫切面，從而在水平方向上形成第二漸縮端。根據本技術另再一實施例，第一端的橫切面的形狀為三角形或梯形。根據本技術另又一實施例，閘極電極層的第二漸縮端匯聚于一條直線或一個面上。根據本技術再另一實施例，源/汲極電極層設置在閘極電極層的第二漸縮端上。根據本技術一實施例，靜電防護裝置更包含至少一靜電防護組件。靜電防護組件電性耦接于半導體結構。根據本技術再一實施例，半導體結構設置于靜電防護組件上。根據本技術又一實施例，閘極電極層形成于靜電防護組件上。根據本技術一實施例，靜電防護組件為尖端放電結構或者二極管式靜電防護結構。因此，根據本技術的
技術實現思路
，本技術實施例提供一種靜電防護裝置，由閘極電極層的第一漸縮端 分別與閘極絕緣層的第一轉角及第二轉角形成一第一靜電放電路徑及一第二靜電放電路徑，藉以改善采用面板內建閘極的電子產品在進行P檢時容易引起靜電放電的問題。【附圖說明】圖1是一種采用面板內建閘極的電子產品的面板示意圖；圖2是本技術一實施例的制造流程示意圖；圖3A是依照本技術另一實施例的結構剖面圖；圖3B是依照本技術再一實施例的結構剖面圖；圖4是依照本技術又一實施例的結構示意圖；圖5是依照本技術另一實施方式的配置示意圖；圖6是本技術再一實施方式的配置示意圖；圖7是依照本技術一實施方式與其它靜電防護結構的配置示意圖；圖8是依照本技術另一實施方式與其它靜電防護結構的配置示意圖。【主要組件標號說明】100:面板結構228:第二區110:面板230:半導體電極層120:面板內建閘極240:源/汲極電極層130:簡易點燈線路290:基板140:第一位置510:待測走線150:第二位置610:待測走線200:靜電防護裝置710:待測走線210:閘極電極層720:訊號線212:第一漸縮端730:尖端放電結構214:第一漸縮端740:尖端放電結構216:第一端750:二極管式靜電防護結構218:第二端810:待測走線219:第二漸縮端820:訊號線220:閘極絕緣層830:尖端放電結構222:第一轉角840:尖端放電結構224:第二轉角850:二極管式靜電防護結構226:第一區【具體實施方式】為了使本技術所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。圖1所示的采用面板內建閘極的電子產品的面板結構100 (其包含面板110、面板內建閘極120、簡易點燈線路130、第一位置140以及第二位置150。)，由于設計上所需的輸入訊號較多，因此，在進行P檢時，容易引起靜電放電的問題。為解決上述問題，本技術實施例提供一種液晶顯示面板的靜電防護裝置，其可依照實際需求而選擇性地設置于第一位置140或第二位置150，而能將靜電電荷釋放，如此，得以保護采用面板內建閘極的電子產品的面板100不受靜電破壞。上述半導體結構將于后文中詳述。圖2是依照本技術一實施例的一種液晶顯示面板的靜電防護裝置的制造流程示意圖。如需形成靜電防護裝置的半導體結構要四道制程，首先，形成閘極電極層(GateElectrode, GE) 210于基板上(圖中未示)，接著，形成閘極絕緣層(Gate Insulated, GI)于閘極電極層210上，再形成半導體電極層(Semiconductor Electrode, SE) 230于閘極絕緣層上，然后，形成源/汲極電極層240于半導體電極層(Source and DrainElectrode, SD) 230上。在圖2中，由于靜電防護裝置的閘極絕緣層可為氮化硅，其完全覆蓋于閘極電極層上，因而并無使用光罩。為使本技術更易于理解，在此，對圖2所形成的靜電防護裝置沿著切線AB進行剖面，而上述切線AB的橫切面圖參見圖3A及圖3B。如圖3A所示，液晶顯示面板的靜電防護裝置200包含閘極電極層210、閘極絕緣層220、半導體電極層230以及源/汲極電極層240。閘極電極層210可形成于基板290上。如圖所示，閘極電極層210具有一形狀為向該基板290的反方向漸縮的橫切面，從而在基板290的反方向上形成第一漸縮端212。閘極絕緣層220包含第一區226以及第二區228，第一區226沿著閘極電極層210的外表面共形設置，而第二區228形成于基板290上，其中第一區2本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種靜電防護裝置，其特征在于，包括電性耦接于一待測走線的半導體結構，所述半導體結構包含：一閘極電極層，形成在一基板上，所述閘極電極層具有一形狀為向該基板的反方向漸縮的橫切面，從而在所述基板的反方向上形成一第一漸縮端；一閘極絕緣層，包含一第一區以及一第二區，所述第一區沿著所述閘極電極層的外表面共形設置，而所述第二區形成于所述基板上，其中所述第一區具有一包含第一轉角及第二轉角的橫切面；一半導體電極層，沿著所述閘極絕緣層的外表面共形設置；以及一源/汲極電極層，沿著所述半導體電極層的外表面共形設置；其中由所述第一漸縮端分別與所述第一轉角及所述第二轉角形成一第一靜電放電路徑及一第二靜電放電路徑。

【技術特征摘要】
1.一種靜電防護裝置，其特征在于，包括電性耦接于一待測走線的半導體結構，所述半導體結構包含: 一閘極電極層，形成在一基板上，所述閘極電極層具有一形狀為向該基板的反方向漸縮的橫切面，從而在所述基板的反方向上形成一第一漸縮端； 一閘極絕緣層，包含一第一區以及一第二區，所述第一區沿著所述閘極電極層的外表面共形設置，而所述第二區形成于所述基板上，其中所述第一區具有一包含第一轉角及第二轉角的橫切面； 一半導體電極層，沿著所述閘極絕緣層的外表面共形設置；以及 一源/汲極電極層，沿著所述半導體電極層的外表面共形設置； 其中由所述第一漸縮端分別與所述第一轉角及所述第二轉角形成一第一靜電放電路徑及一第二靜電放電路徑。2.如權利要求1所述的靜電防護裝置，其特征在于，所述閘極絕緣層在所述第一轉角及所述第二轉角處分別包含一第一裂縫及一第二裂縫，其中由所述第一漸縮端分別與所述第一裂縫及所述第二裂縫形成所述第一靜電放電路徑及所述第二靜電放電路徑。3.如權利要求1所述的靜電防護裝置，其特征在于，所述閘極電極層的橫切面的形狀為三角形或梯形。4.如權利要求1所述的靜電防護裝置，其特征在于，所述閘極電極層的第一漸...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭智宇，李威龍，
申請(專利權)人：華映科技集團股份有限公司，中華映管股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：