【技術實現步驟摘要】
—種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝
本專利技術涉及生產領域，尤其是一種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝。
技術介紹
80年代以來，國際陶瓷業開始向特種陶瓷的方向發展，越來越多的領域開始使用氮化硅陶瓷。氮化硅粉體制備技術也就越來越突出，因為粉體制備的優劣直接影響著最終產品的組織結構和物化性能。目前世界上制備氮化硅陶瓷粉體的主要手段有:直接氮化法、碳熱還原氮化法、氣相合成法、熱分解法，但是，存在產物粗大、產物中含有害的Cl-離子、工藝復雜等問題。我國氮化硅陶瓷粉體成品顆粒為3微米左右，而進口的粉體為0.7微米以下，而進口粉體含有的金屬粒子雜質較多。所以，目前的氮化硅陶瓷粉體均不理想。
技術實現思路
針對上述問題本專利技術提出新的生產工藝，為:在高純工業硅粉摻入0.3%納米氮化硅材料放入高溫氮化爐中，在一個大氣壓的氮氣氣氛中升溫至1050~1200°C，進行充分的氣化反應，生成聞α相氣化娃廣品。本專利技術的有益效果是:采用本工藝生產的亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體不但極小粒徑、很大的比表面積和較高的化學性能、組成結構均勻、成品燒制收縮一致缺陷小、產品生產過程中無毒無害、雜質少 ，而且比普通的硅粉直接加氮氣合成溫度低100~150°C，節電1.5%,大大節約了能源。【具體實施方式】取原料高純工業硅粉，摻入0.3%納米氮化硅材料，攪拌均勻，放入高溫氮化爐中，用真空泵將氮化爐中抽成真空，再沖入一個大氣壓的氮氣，開始加熱，升溫至1050~1200°C，使原料進行充分的氮化反應，降溫降壓，經冷卻后提出樣品，進行X-衍射分析。結果如下:α相...
【技術保護點】
一種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝，其特征是：在高純工業硅粉摻入0.3％納米氮化硅材料放入高溫氮化爐中，在一個大氣壓的氮氣氣氛中升溫至1050～1200℃，進行充分的氮化反應，生成高α相氮化硅產品。
【技術特征摘要】
1.一種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝，其特征是:在高純工業硅粉摻入0.3%納米氮化硅材料放入高...
【專利技術屬性】
技術研發人員：焦云峰，
申請(專利權)人：洛陽力冠陶瓷科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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