包括電容器的封裝結構及其形成方法技術

公開了包括電容器的封裝結構及其形成方法。一種封裝件包括管芯、封裝劑和電容器。封裝件具有封裝件第一面和封裝件第二面。管芯具有對應于封裝件第一面的管芯第一面，并且具有對應于封裝件第二面的管芯第二面。管芯第一面與管芯第二面是相對的。封裝劑圍繞管芯。電容器包括位于封裝劑中的第一板和第二板，并且第一板和第二板的對置表面在從封裝件第一面到封裝件第二面的方向上延伸。外部導電連接件接合至封裝件第一面和封裝件第二面中的至少一個面。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體器件，具體而言，涉及。
技術介紹
半導體器件用于各種電子應用，作為實例，諸如個人電腦、移動電話、數碼相機和其他電子設備。通常通過在半導體襯底上方相繼沉積絕緣材料層或介電材料層、導電材料層和半導體材料層，以及采用光刻圖案化各種材料層以在其上形成電路部件和元件來制造半導體器件。通常在一個半導體晶圓上制造數十或數百個集成電路，然后通過在集成電路之間沿著劃線切割來分割晶圓上的個體管芯。舉例來說，通常單獨地、以多芯片模塊或者以其他類型的封裝對這些個體管芯進行封裝。半導體產業通過不斷減小最小部件尺寸來不斷提高各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這使得在給定區域內集成更多的元件。在一些應用中，這些更小的電子元件也需要比以前的封裝件更小的利用更少面積的封裝件。由于具有將集成電路更密集地集成在小的整體封裝件內的能力，堆疊封裝(PoP)技術變得日益普及。作為實例，PoP技術用于許多高級手持式器件，諸如智能手機。其他封裝技術使用各種部件也提供改善的集成密度。
技術實現思路
為了解決現有技術中存在的問題，根據本專利技術的一方面提供了一種結構，包括:封裝件，具有封裝件第一面和封裝件第二面，所述封裝件包括:管芯，具有對應于所述封裝件第一面的管芯第一面并具有對應于所述封裝件第二面的管芯第二面，所述管芯第一面與所述管芯第二面相對；封裝劑，圍繞所述管芯；和電容器，包括位于所述封裝劑中的第一板和第二板，所述第一板和所述第二板的對置表面在從所述封裝件第一面到所述封裝件第二面的方向上延伸；以及外部導電連接件，接合至所述封裝件第一面和所述封裝件第二面中的至少一個面。在所述的結構中，所述封裝劑包括模塑料。在所述的結構中，所述第一板和所述第二板之間的區域包含所述封裝劑。在所述的結構中，所述電容器包括接合至所述第一板的第一指狀件，并且包括接合至所述第二板的第二指狀件，所述第一指狀件和所述第二指狀件相互交叉。在所述的結構中，所述封裝件還包括位于所述管芯第一面和所述管芯第二面中的至少一個面上的再分布層，所述外部導電連接件接合至所述再分布層。在所述的結構中，所述封裝件還包括在從所述封裝件第一面到所述封裝件第二面的方向上延伸的通孔。所述的結構還包括:另一管芯，連接至所述封裝件的封裝件第二面；以及襯底，連接至所述封裝件的封裝件第一面，所述外部導電連接件接合至所述襯底和所述封裝件第一面。根據本專利技術的另一方面，提供了一種結構，包括:管芯；模塑料，封裝所述管芯，所述模塑料具有第一表面和第二表面，所述第一表面對應于所述管芯的有源面；垂直電容器，包括位于所述模塑料中的至少兩個相對的板，所述相對的板的對置表面垂直于所述第一表面和所述第二表面延伸；第一再分布層，位于所述第一表面和所述第二表面中的至少一個表面上；以及外部導電連接件，接合至所述第一再分布層。在所述的結構中，所述相對的板中的每一個都包括指狀件，所述相對的板中的每一個和相應的指狀件形成梳狀結構，所述指狀件相互交叉。在所述的結構中，所述相對的板之間的空間包括模塑料。所述的結構還包括位于所述模塑料中并從所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔。所述的結構還包括位于所述第一表面和所述第二表面中的一個表面上的第二再分布層，位于所述第一表面或所述第二表面上的所述第二再分布層與所述第一再分布層不同。所述的結構還包括:另一元件，包括另一管芯，所述另一元件連接至所述第一表面和所述第二表面中的一個表面；以及有機襯底，連接至與所述另一元件相對的所述第一表面和所述第二表面中的一個表面，所述外部導電連接件接合至所述有機襯底。根據本專利技術的又一方面，提供了一種方法，包括:在襯底的表面上形成垂直電容器的第一板和第二板，所述第一板和所述第二板的相對面垂直于所述襯底的表面延伸；將管芯接合至所述襯底的表面；用封裝材料封裝所述管芯、所述第一板和所述第二板，所述封裝材料具有遠離所述襯底的第一面；以及形成連接至所述第一面的外部導電連接件。在所述的方法中，形成所述第一板和所述第二板包括使用鍍層工藝以在光刻膠的開口中形成金屬，所述光刻膠位于所述襯底上。在所述的方法中，所述封裝包括使用壓縮模塑法。在所述的方法中，所述密封包括研磨或拋光所述封裝材料以暴露位于所述第一面上的第一板和第二板。在所述的方法中，所述封裝材料位于所述第一板和所述第二板之間。在所述的方法中，將所述第一指狀件接合至所述第一板，以及將第二指狀件接合至所述第二板，所述第一指狀件和所述第二指狀件相互交叉。所述的方法還包括在所述封裝材料的第一面上形成再分布層，將所述外部導電連接件接合至所述再分布層?！靖綀D說明】為了更全面地理解本專利技術實施例及其優點，現在將參考結合附圖所進行的以下描述，其中:圖1至圖8是根據實施例形成包括垂直電容器的封裝件的方法；以及圖9是根據實施例包括垂直電容器的封裝件。【具體實施方式】在下面詳細論述本專利技術實施例的制造和使用。然而，應該理解，本專利技術提供了許多可以在各種具體環境中實現的可應用的專利技術構思。所論述的具體實施例僅是制造和使用所公開的主題的示例性具體方式，而不限制不同實施例的范圍。一個或多個實施例涉及例如在集成電路封裝件(諸如用于堆疊封裝件(PoP)結構)中形成的電容器，諸如金屬絕緣體金屬(MIM)電容器。多個實施例涉及在各種封裝環境和封裝件中的應用。本領域普通技術人員將容易理解，可以對本文中描述的示例封裝件和方法進行修改以實現在各個實施例的范圍內涉及的其他封裝件和方法。附圖中相似的參考標號表示相似的元件，并且雖然以特定次序進行描述，但是可以以其他邏輯順序以及進行各種修改來實施各個方法實施例。圖1至圖8示出包括形成在其中的電容器的封裝件的方法和各個結構。圖1示出第一載具襯底10、光熱轉換(LTHC)釋放涂層12、鈍化膜14和晶種層16。在后續加工步驟期間，第一載具襯底10提供臨時機械和結構支撐。第一載具襯底10可以包含例如玻璃、氧化硅、氧化鋁、和/或它們的組合等，并且其可以是晶圓。在第一載具襯底10的表面上方形成LTHC釋放涂層12。LTHC釋放涂層12是例如氧化物、氮化物、有機材料等或它們的組合，諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可以采用化學汽相沉積(CVD)等或它們的組合形成LTHC釋放涂層12。在LTHC釋放涂層12的表面上方形成鈍化膜14。鈍化膜14是例如聚苯并惡唑(PBO)、聚酰亞胺、苯并環丁烯(BCB)、聚降冰片烯、聚對二甲苯(PPX)等或它們的組合，并且可以通過涂布工藝、層壓工藝等或它們的組合來沉積鈍化膜14。在鈍化膜14的表面上方沉積晶種層16。晶種層16是例如通過濺射、另一 PVD工藝等沉積的銅、鈦等或它們的組八口 ο圖2還示出光刻膠18、垂直電容器20和通孔22。光刻膠18可以是任何可接受的材料并且可以采用可接受的沉積技術諸如旋涂工藝來沉積。采用可接受的光刻技術對光刻膠18進行圖案化以產生用于垂直電容器20和通孔22的開口。通過無電鍍、電鍍等在開口中沉積導電材料(諸如銅、鋁等或它們的組合)以形成垂直電容器20和通孔22。通過諸如灰化和/或沖洗工藝去除光刻膠。圖3是在圖2中標記的截面A-A處的垂直電容器20的布局圖。垂直電容器20包括第一垂直板30和第二垂直板32。第一垂直板30與第二垂直板32相對。第一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種結構，包括：封裝件，具有封裝件第一面和封裝件第二面，所述封裝件包括：管芯，具有對應于所述封裝件第一面的管芯第一面并具有對應于所述封裝件第二面的管芯第二面，所述管芯第一面與所述管芯第二面相對；封裝劑，圍繞所述管芯；和電容器，包括位于所述封裝劑中的第一板和第二板，所述第一板和所述第二板的對置表面在從所述封裝件第一面到所述封裝件第二面的方向上延伸；以及外部導電連接件，接合至所述封裝件第一面和所述封裝件第二面中的至少一個面。

【技術特征摘要】
2012.07.18 US 13/551,6761.一種結構，包括: 封裝件，具有封裝件第一面和封裝件第二面，所述封裝件包括: 管芯，具有對應于所述封裝件第一面的管芯第一面并具有對應于所述封裝件第二面的管芯第二面，所述管芯第一面與所述管芯第二面相對； 封裝劑，圍繞所述管芯；和 電容器，包括位于所述封裝劑中的第一板和第二板，所述第一板和所述第二板的對置表面在從所述封裝件第一面到所述封裝件第二面的方向上延伸；以及 外部導電連接件，接合至所述封裝件第一面和所述封裝件第二面中的至少一個面。2.根據權利要求1所述的結構，其中，所述封裝劑包括模塑料。3.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一板和所述第二板之間的區域包含所述封裝劑。4.根據權利要求1所述的結構，其中，所述電容器包括接合至所述第一板的第一指狀件，并且包括接合至所述第二板的第二指狀件，所述第一指狀件和所述第二指狀件相互交 叉。5.根據權利要求1所述的結構，其中，所述封裝件還包括位于所述管芯第一面和所述管芯第二面中的至少一個面上的再分布層，所述外部導電連接件接合至所述再分布層。6.根據權利要求1所述的結構，其中，所述封裝件還包括在從所述封裝件第一面到所述封裝件第二面的方向...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅雪怡，蕭景文，陳旭賢，陳承先，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：