具有三烷氧基甲硅烷基烷基的鎓鹽制造技術(shù)

一種式(1)所示的鎓鹽：(所述式(1)中所示出的季鎓陽離子以如下方式表述：(式中，Q+表示氮陽離子或磷陽離子。R1～R3表示碳數(shù)1～6的烷基。R1和R2可在末端相互結(jié)合形成吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、吡啶環(huán)、磷雜環(huán)戊烷環(huán)、磷雜環(huán)己烷環(huán)或磷雜苯環(huán)。其中，在形成吡啶環(huán)或磷雜苯環(huán)的情況下，不存在R3。R4表示碳數(shù)1～4的烷基。D表示CH2、CH(CH3)或CH(CH3)CH2。E表示NH或硫原子。m為0～3的整數(shù)，n為1～4的整數(shù))。A-表示陰離子)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】具有三院氧基甲娃院基院基的鐵鹽
本專利技術(shù)涉及一種具有二烷氧基甲娃烷基烷基的新型的鐵鹽。
技術(shù)介紹
作為具有三烷氧基甲硅烷基烷基的鎗鹽，公知有如下鎗鹽:陽離子為氮原子或磷原子、和硅原子以烷基結(jié)合而成，陰離子為雙全氟烷基磺酰亞胺。該鎗鹽已知能對(duì)氟樹脂賦予優(yōu)良的抗靜電性(參考專利文獻(xiàn)I)。但是，本【專利技術(shù)者】將專利文獻(xiàn)I中記載的鎗鹽作為丙烯酸樹脂的抗靜電劑進(jìn)行使用時(shí)，結(jié)果其表面電阻率達(dá)1013ω/ □以上，可知作為丙烯酸樹脂用的抗靜電劑不具有充分的抗靜電能力。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-248165號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的課題本專利技術(shù)的課題在于提供一種尤其作為丙烯酸樹脂用抗靜電劑有用的具有三烷氧基甲硅烷基烷基的新型的鎗鹽。用于解決課題的手段本【專利技術(shù)者】為了解決上述課題進(jìn)行了深入研究，結(jié)果開發(fā)出式(I)所示的鎗鹽，進(jìn)而發(fā)現(xiàn)在將該鎗鹽作為抗靜電劑用于丙烯酸樹脂時(shí)，對(duì)于丙烯酸樹脂能夠賦予抗靜電性，從而完成了本專利技術(shù)。即，本專利技術(shù)涉及一種式⑴所示的鎗鹽(以下，稱為鎗鹽(I)):式(I):

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種由式(1)表示的鎓鹽：所述式(1)中所示出的季鎓陽離子以如下方式表述：在式(1)中，Q+表示氮陽離子或磷陽離子；R1～R3表示碳數(shù)1～6的烷基；R1和R2可在末端相互結(jié)合形成吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、吡啶環(huán)、磷雜環(huán)戊烷環(huán)、磷雜環(huán)己烷環(huán)或磷雜苯環(huán)；其中，在形成吡啶環(huán)或磷雜苯環(huán)的情況下，不存在R3；R4表示碳數(shù)1～4的烷基；D表示CH2、CH(CH3)或CH(CH3)CH2；E表示NH或硫原子；m為0～3的整數(shù)，n為1～4的整數(shù)；A?表示陰離子。FDA0000401194620000011.jpg

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】2011.06.24 JP 2011-153307;2012.03.29 JP 2012-07801.一種由式(I)表不的鐵鹽: 2.如權(quán)利要求1所述的鎗鹽，其中，Q+為氮陽離子。3.如權(quán)利要求1所述的鎗鹽，其中，Q+為磷陽離子。4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的鎗鹽，其中，Α—為含氟陰離子或鹵離子。5...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田中洋輔，神野卓彥，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣榮化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，
類型：
國(guó)別省市：